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MSM548512L-80RS

更新时间： 2024-01-19 04:03:26

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冲电气 - OKI		内存集成电路静态存储器光电二极管
页数	文件大小	规格书
12页	162K
描述
524,288-Word X 8-Bit High-Speed PSRAM

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技术参数
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MSM548512L-80RS 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DIP
包装说明：	DIP,	针数：	32
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	3A991.B.2.A
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.84
最长访问时间：	80 ns	其他特性：	CE/AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码：	R-PDIP-T32	长度：	41.7 mm
内存密度：	4194304 bit	内存集成电路类型：	PSEUDO STATIC RAM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	32
字数：	524288 words	字数代码：	512000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	512KX8
可输出：	YES	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	DIP	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	并行/串行：	PARALLEL
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	5.15 mm
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子节距：	2.54 mm
端子位置：	DUAL	宽度：	15.24 mm
Base Number Matches：	1

MSM548512L-80RS 数据手册

¡ Semiconductor

Write Cycle 2 (OE Low)

MSM548512L

t_RC

t_CE

t_P

t_AS

t_AH

Address

A0 - A18

t_CW

t_WP

t_OHC

OE/RFSH

t_DW

t_DH

D_IN

Valid Data-in

t_WHZ

t_CLZ

D_OUT

"H" or "L"

Read Modify Write

t_RWC

t_P

t_AS

t_AH

Address

A0 - A18

t_CW

t_RCH

t_RCS

t_WP

t_OCD

t_OHC

OE/RFSH

t_OHZ

t_OEA

t_OLZ

t_DW

Valid Data-in

t_DH

D_IN

t_CHZ

t_WHZ

t_OW

t_CLZ

Valid

D_OUT

Data-out

"H" or "L"

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