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MSM518129L-50JS

更新时间: 2024-02-27 18:07:20
品牌 Logo 应用领域
冲电气 - OKI 动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
8页 193K
描述
EDO DRAM, 128KX8, 50ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/24

MSM518129L-50JS 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:SOJ, SOJ24/26,.34Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.92最长访问时间:50 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PDSO-J24
JESD-609代码:e0内存密度:1048576 bit
内存集成电路类型:EDO DRAM内存宽度:8
端子数量:24字数:131072 words
字数代码:128000最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:128KX8
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOJ封装等效代码:SOJ24/26,.34
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
电源:5 V认证状态:Not Qualified
刷新周期:512自我刷新:NO
最大待机电流:0.0002 A子类别:DRAMs
最大压摆率:0.12 mA标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:J BEND端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL

MSM518129L-50JS 数据手册

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MSM518129L-60JS OKI

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EDO DRAM, 128KX8, 60ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/24
MSM518200 OKI

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