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MSKD60-12 PDF预览

MSKD60-12

更新时间： 2024-11-11 15:45:11
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 局域网二极管
页数 文件大小 规格书
3页 144K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 60A, 1200V V(RRM), Silicon, CASE D1, 3 PIN

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MSKD60-12 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：R-XUFM-X3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.81其他特性：UL RECOGNIZED
应用：GENERAL PURPOSE外壳连接：ISOLATED
配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1.3 V
JESD-30 代码：R-XUFM-X3最大非重复峰值正向电流：1150 A
元件数量：2相数：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-40 °C最大输出电流：60 A
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：1200 V子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：NO端子形式：UNSPECIFIED
端子位置：UPPERBase Number Matches：1

MSKD60-12 数据手册

 浏览型号MSKD60-12的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MSKD60-12的Datasheet PDF文件第3页 
MSKD60 ; MSAD60 ; MSCD60  
Glass Passivated Rectifier  
Diode Modules  
VRRM 800 to 1800V  
IFAV 60 Amp  
Applications  
y
y
y
Non-controllable rectifiers for AC/AC  
converters  
Line rectifiers for transistorized AC motor  
controllers  
Field supply for DC motors  
Circuit  
Features  
y
Blocking voltage:800 to 1800V  
Heat transfer through aluminum oxide DBC  
ceramic isolated metal baseplate  
Glass passivated chip  
y
y
y
UL E243882 approved  
Module Type  
TYPE  
VRRM  
800V  
1200V  
1600V  
1800V  
VRSM  
900V  
1300V  
1700V  
1900V  
MSCD60-08  
MSCD60-12  
MSCD60-16  
MSCD60-18  
MSAD60-08  
MSAD60-12  
MSAD60-16  
MSAD60-18  
MSKD60-08  
MSKD60-12  
MSKD60-16  
MSKD60-18  
Maximum Ratings  
Symbol  
Conditions  
Values  
60  
Units  
Single phase ,half wave 180°conduction Tc=100℃  
Single phase ,half wave 180°conduction Tc=98℃  
t=10mS Tvj =45℃  
A
IFAV  
IF(RMS)  
IFSM  
i2t  
90  
A
1150  
A
A2s  
V
t=10mS Tvj =45℃  
6600  
a.c.50HZ;r.m.s.;1min  
3000  
Visol  
Tvj  
-40 to +150  
-40 to +125  
3±15%  
5±15%  
100  
℃
℃
Nm  
Nm  
g
Tstg  
Mt  
To terminals(M5)  
Ms  
To heatsink(M6)  
Weight  
Module (Approximately)  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Conditions  
Values  
0.59  
Units  
℃/W  
Per diode  
Rth(j-c)  
Rth(c-s)  
Module  
0.1  
℃/W  
Electrical Characteristics  
Symbol  
Values  
Conditions  
Units  
Min.  
－
Typ. Max.  
T=25℃IF =200A  
Tvj=150℃VRD=VRRM  
1.20  
1.30  
5
V
VFM  
IRD  
－
－
mA  
MSKD60_MSAD60_MSCD60-Rev2  
Oct,2011  
www.microsemi.com  
1/3  
123

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MSKD60-12 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
MSKD60-18 MICROSEMI

完全替代

 Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 60A, 1800V V(RRM), Silicon, CASE D1, 3 PIN
MSKD60-08 MICROSEMI

完全替代

 Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 60A, 800V V(RRM), Silicon, CASE D1, 3 PIN

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MSKD60B-08 ETC

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MSKD60B-12 ETC

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 		Glass Passivated Rectifier Diode Modules
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