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MSD1010LT1 PDF预览

MSD1010LT1

更新时间： 2024-11-10 20:05:47
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
21页 292K
描述
100mA, 15V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, SC-59, 3 PIN

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MSD1010LT1 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：SC-59
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.88最大集电极电流 (IC)：0.1 A
集电极-发射极最大电压：15 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：300JESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：PNP认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：TIN LEAD
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

MSD1010LT1 数据手册

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SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
Motorola Preferred Devices  
Part of the GreenLine Portfolio of devices with energy–conserving traits.  
PNP GENERAL  
PURPOSE DRIVER  
TRANSISTORS  
This PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor is designed to conserve energy  
in general purpose driver applications. This device is housed in the SOT-23 and  
SC–59 packages which are designed for low power surface mount  
applications.  
SURFACE MOUNT  
•
Low V , < 0.1 V at 50 mA  
CE(sat)  
Applications  
3
•
•
•
LCD Backlight Driver  
Annunciator Driver  
1
General Output Device Driver  
2
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C)  
CASE 318–08, STYLE 6  
SOT-23  
A
Rating  
Collector-Base Voltage  
Symbol  
Value  
45  
Unit  
Vdc  
V
V
(BR)CBO  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
15  
Vdc  
(BR)CEO  
V
5.0  
Vdc  
3
(BR)EBO  
Collector Current — Continuous  
I
C
100  
mAdc  
2
1
DEVICE MARKING  
MMBT1010LT1 = GLP  
MSD1010T1 = GLP  
CASE 318D–04, STYLE 1  
SC-59  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Rating  
COLLECTOR  
Symbol  
Max  
Unit  
(1)  
Power Dissipation  
P
250  
mW  
D
T
= 25°C  
A
Derate above 25°C  
1.8  
556  
mW/°C  
°C/W  
°C  
Thermal Resistance Junction to Ambient  
Junction Temperature  
R
θJA  
T
150  
J
BASE  
EMITTER  
Storage Temperature Range  
T
stg  
–55 ~ +150  
°C  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Condition  
Min  
15  
Max  
—
Unit  
Vdc  
Vdc  
µA  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector-Base Cutoff Current  
Collector-Emitter Cutoff Current  
DC Current Gain  
V
I = 10 mA, I = 0  
C B  
(BR)CEO  
V
I
= 10 µA, I = 0  
5.0  
—
—
(BR)EBO  
E
E
I
I
V
= 20 V, I = 0  
0.1  
100  
600  
CBO  
CB  
CE  
E
V
= 10 V, I = 0  
—
µA  
CEO  
B
(2)  
h
FE1  
V
= 5 V, I = 100 mA  
300  
—
CE  
C
(2)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
V
V
I
I
= 10 mA, I = 1.0 mA  
—
—
0.1  
0.1  
0.19  
Vdc  
CE(sat)  
C
C
B
= 50 mA, I = 5.0 mA  
B
I
C
= 100 mA, I = 10 mA  
B
(2)  
Base-Emitter Saturation Voltage  
I
C
= 100 mA, I = 10 mA  
—
1.1  
Vdc  
BE(sat)  
B
(1) Device mounted on a FR-4 glass epoxy printed circuit board using the minimum recommended footprint.  
(2) Pulse Test: Pulse Width ≤ 300 µs, D.C. ≤ 2%.  
Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.  
REV 2  
2–300  
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data  
1234567...21

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与MSD1010LT1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MSD1010LT3 ONSEMI

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 		100mA, 15V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, SC-59, 3 PIN
MSD1010T1 ETL

获取价格

 		Low Saturation Voltage
MSD1010T1 MOTOROLA

获取价格

 		PNP GENERAL PURPOSE DRIVER TRANSISTORS SURFACE MOUNT
MSD1010T1 LRC

获取价格

 		Low Saturation Voltage
MSD1038V-103 COILCRAFT

获取价格

 		Miniature High-Isolation Coupled Inductors
MSD1038V-104 COILCRAFT

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 		Miniature High-Isolation Coupled Inductors
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