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MSCD120-12 PDF预览

MSCD120-12

更新时间： 2024-10-14 15:44:47
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 局域网二极管
页数 文件大小 规格书
3页 146K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 120A, 1200V V(RRM), Silicon, CASE D1, 3 PIN

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MSCD120-12 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：R-XUFM-X3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.82其他特性：UL RECOGNIZED
应用：GENERAL PURPOSE外壳连接：ISOLATED
配置：SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1.43 V
JESD-30 代码：R-XUFM-X3最大非重复峰值正向电流：2800 A
元件数量：2相数：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-40 °C最大输出电流：120 A
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：1200 V子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：NO端子形式：UNSPECIFIED
端子位置：UPPERBase Number Matches：1

MSCD120-12 数据手册

 浏览型号MSCD120-12的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MSCD120-12的Datasheet PDF文件第3页 
MSKD120 ; MSAD120 ; MSCD120  
Glass Passivated Rectifier  
Diode Modules  
VRRM 800 to 1800V  
IFAV 120 Amp  
Applications  
y
y
y
Non-controllable rectifiers for AC/AC  
converters  
Line rectifiers for transistorized AC motor  
controllers  
Field supply for DC motors  
Circuit  
Features  
y
Blocking voltage:800 to 1800V  
Heat transfer through aluminum oxide DBC  
ceramic isolated metal baseplate  
Glass passivated chip  
y
y
y
UL E243882 approved  
Module Type  
TYPE  
VRRM  
800V  
1200V  
1600V  
1800V  
VRSM  
900V  
1300V  
1700V  
1900V  
MSCD120-08  
MSCD120-12  
MSCD120-16  
MSCD120-18  
MSAD120-08  
MSAD120-12  
MSAD120-16  
MSAD120-18  
MSKD120-08  
MSKD120-12  
MSKD120-16  
MSKD120-18  
Maximum Ratings  
Symbol  
Conditions  
Values  
120  
Units  
Single phase ,half wave 180°conduction Tc=106℃  
Single phase ,half wave 180°conduction Tc=97℃  
t=10mS Tvj =45℃  
A
IFAV  
IF(RMS)  
IFSM  
i2t  
180  
A
2800  
A
A2s  
V
t=10mS Tvj =45℃  
39200  
a.c.50HZ;r.m.s.;1min  
3000  
Visol  
Tvj  
-40 to +150  
-40 to +125  
3±15%  
5±15%  
100  
℃
℃
Nm  
Nm  
g
Tstg  
Mt  
To terminals(M5)  
Ms  
To heatsink(M6)  
Weight  
Module (Approximately)  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Conditions  
Values  
0.26  
Units  
℃/W  
Per diode  
Module  
Rth(j-c)  
Rth(c-s)  
0.1  
℃/W  
Electrical Characteristics  
Symbol  
Values  
Min. Typ. Max.  
Conditions  
Units  
T=25℃IF =300A  
Tvj=150℃VRD=VRRM  
－
－
1.22  
1.43  
6
V
VFM  
IRD  
－
mA  
MSKD120_MSAD120_MSCD120 - Rev2  
Oct, 2011  
www.microsemi.com  
1/3  
123

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MSCD120-12 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
MSCD120-18 MICROSEMI

完全替代

 Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 120A, 1800V V(RRM), Silicon, CASE D1, 3 PIN
MSCD120-08 MICROSEMI

完全替代

 Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 120A, 800V V(RRM), Silicon, CASE D1, 3 PIN

与MSCD120-12相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MSCD120-16 MICROSEMI

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 120A, 1600V V(RRM), Silicon, CASE D1, 3 PIN
MSCD120-18 MICROSEMI

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 120A, 1800V V(RRM), Silicon, CASE D1, 3 PIN
MSCD120B ETC

获取价格

 		Glass Passivated Rectifier Diode Modules
MSCD120B-08 ETC

获取价格

 		Glass Passivated Rectifier Diode Modules
MSCD120B-12 ETC

获取价格

 		Glass Passivated Rectifier Diode Modules
MSCD120B-16 ETC

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 		Glass Passivated Rectifier Diode Modules
MSCD120B-18 ETC

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 		Glass Passivated Rectifier Diode Modules
MSCD165-08 ETC

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 		Glass Passivated Rectifier Diode Modules
MSCD165-12 ETC

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