MSC81402

更新时间： 2024-11-28 22:51:07

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描述
RF & MICROWAVE TRANSISTORS GENERAL PURPOSE AMPLIFIERS APPLICATIONS

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MSC81402 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, O-CRFM-F2
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	外壳连接：	BASE
最大集电极电流 (IC)：	0.23 A	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	30	最高频带：	L BAND
JESD-30 代码：	O-CRFM-F2	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	ROUND
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	6 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	FLAT	端子位置：	RADIAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

MSC81402 数据手册

MSC81402

RF & MICROWAVE TRANSISTORS

GENERAL PURPOSE AMPLIFIERS APPLICATIONS

PRELIMINARY DATA

REFRACTORY/GOLD METALLIZATION

HIGH GAIN & COLLECTOR EFFICIENCY

RUGGED OVERLAY GEOMETRY

METAL/CERAMIC HERMETIC PACKAGE

P_OUT

2.0 W MIN. WITH 10.0 dB GAIN

.250 2LFL (S010)

hermetically sealed

ORDER CODE

BRANDING

81402

MSC81402

PIN CONNECTION

DESCRIPTION

The MSC81402 is a 28 Volt, Class C, common

base NPN biploar device designed for general pur-

pose amplifier applications in the UHF and L-Band

frequency range.

High gain and collector efficiency along with ex-

treme ruggedness are obtained using a gold me-

tallized emitter-ballasted overlay die geometry.

1. Collector

2. Base

3. Emitter

4. Base

= 25 C)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T

case

Symbol

P_DISS

I_C

Parameter

Value

Unit

Power Dissipation*

Device Current*

(T_C≤ 50˚C)

0.23

V_CC

T_J

Collector-Supply Voltage*

Junction Temperature

Storage Temperature

200

T_STG

65 to +200

−

THERMAL DATA

C/W

R_TH(j-c)

Junction-Case Thermal Resistance*

*Applies only to rated RF amplifier operation

1/3

October 1992

12 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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