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MSC23V13258D-60BS2

更新时间： 2024-02-11 09:30:13

品牌	Logo	应用领域
冲电气 - OKI		动态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
10页	82K
描述
EDO DRAM Module, 1MX32, 60ns, CMOS, DIMM-100

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MSC23V13258D-60BS2 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	DIMM, DIMM100
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.84
最长访问时间：	60 ns	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PDMA-N100	内存密度：	33554432 bit
内存集成电路类型：	EDO DRAM MODULE	内存宽度：	32
端子数量：	100	字数：	1048576 words
字数代码：	1000000	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	1MX32
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	DIMM	封装等效代码：	DIMM100
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源：	3.3 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	1024	座面最大高度：	25.4 mm
自我刷新：	NO	最大待机电流：	0.001 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.32 mA
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	NO LEAD	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL

MSC23V13258D-60BS2 数据手册

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Semiconductor

MSC23V13258D

BLOCK DIAGRAM

/OE

/WE

/RAS0

/RAS /WE /OE

/LCAS

/CAS0

DQ0

DQ1

DQ2

DQ3

DQ4

DQ5

DQ6

DQ7

DQ1

DQ2

DQ3

DQ4

DQ5

DQ6

DQ7

DQ8

/CAS1

/UCAS

DQ9

DQ8

DQ9

DQ10

DQ11

DQ12

DQ13

DQ14

DQ15

DQ16

DQ10

DQ11

DQ12

DQ13

DQ14

DQ15

/RAS2

/CAS2

/RAS /WE /OE

/LCAS

DQ16

DQ17

DQ18

DQ19

DQ20

DQ21

DQ22

DQ23

DQ1

DQ2

DQ3

DQ4

DQ5

DQ6

DQ7

DQ8

/CAS3

/UCAS

DQ9

DQ24

DQ25

DQ26

DQ27

DQ28

DQ29

DQ30

DQ31

DQ10

DQ11

DQ12

DQ13

DQ14

DQ15

DQ16

Note: All Resistors Values are 10ohms

A0-A9

A0-A9 : D0-D1

Serial PD

SCL SCL SDA SDA

D0-D1

C1-C2

A0 A1 A2

SA0 SA1 SA2

1 2 3 456 7 8...10

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MSC23V13258D-70BS2	OKI	获取价格	EDO DRAM Module, 1MX32, 70ns, CMOS, DIMM-100
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MSC23V26407TD-XXBS8	OKI	获取价格	2,097,152-Word x 64-Bit DYNAMIC RAM MODULE : FAST PAGE MODE TYPE
MSC23V26418TD	OKI	获取价格	2,097,152-Word x 64-Bit DYNAMIC RAM MODULE : FAST PAGE MODE TYPE