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MSC23S2640E-8BS8

更新时间： 2024-01-21 06:31:51

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冲电气 - OKI		存储内存集成电路光电二极管动态存储器时钟
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11页	73K
描述
2,097,152 Word x 64 Bit SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM MODULE (1BANK):

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技术参数
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MSC23S2640E-8BS8 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DIMM
包装说明：	,	针数：	168
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.02	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	访问模式：	SINGLE BANK PAGE BURST
最长访问时间：	6 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码：	R-XDMA-N168	内存密度：	134217728 bit
内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM MODULE	内存宽度：	64
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	168	字数：	2097152 words
字数代码：	2000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	2MX64	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
认证状态：	Not Qualified	自我刷新：	YES
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

MSC23S2640E-8BS8 数据手册

MSC23S2640E-8BS8 (98.08.19)

Semiconductor

MSC23S2640E-8BS8

2,097,152 Word x 64 Bit SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM MODULE (1BANK):

DESCRIPTION

The Oki MSC23S2640E-8BS8 is a fully decoded, 2,097,152 x 64bit synchronous

dynamic random access memory composed of eight 16Mb DRAMs (2Mx8) in TSOP

packages mounted with decoupling capacitors on a 168-pin glass epoxy Dual-in-Line

Package supports any application where high density and large capacity of storage

memory are required, like for example PCs or servers.

FEATURES

•

2-Meg Word x 64-Bit (1Bank 8 Byte) organization

168-pin Dual Inline Memory Module

All DQ Pins have 10Ω Damping Resister

Single 3.3V power supply, ±0.3V tolerance

Input

:LVTTL compatible

Output :LVTTL compatible

Refresh : 4,096 cycles/64 ms

Programmable data transfer mode

(2, 3)

• CAS latency

• Burst length (1, 2, 4, 8, Full)

• Data scramble (sequential, interleave)

CBR auto-refresh, Self-refresh capability

Serial Presence Detect (SPD) With EEPROM

•

PRODUCT ORGANIZATION

Product Name

Operation

Access Time (Max.)

Frequency (Max.)

t_AC2

t_AC3

MSC23S2640E-8BS8

125MHz

10.0ns

6.0ns

Note. Specification are subject to change without notice.

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