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MS2475

更新时间: 2024-11-17 22:45:59
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美高森美 - MICROSEMI 晶体射频双极晶体管微波电子放大器航空局域网
页数 文件大小 规格书
5页 154K
描述
RF & MICROWAVE TRANSISTORS AVIONICS APPLICATIONS

MS2475 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active包装说明:FLANGE MOUNT, R-XDFM-F2
Reach Compliance Code:compliant风险等级:5.13
Is Samacsys:N外壳连接:BASE
最大集电极电流 (IC):45 A配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):10最高频带:L BAND
JESD-30 代码:R-XDFM-F2JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:200 °C封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:NPN
最大功率耗散 (Abs):1670 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:YES
端子面层:TIN LEAD端子形式:FLAT
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

MS2475 数据手册

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140 COMMERCE DRIVE  
MONTGOMERYVILLE, PA  
18936-1013  
PHONE: (215) 631-9840  
FAX: (215) 631-9855  
MS2475  
RF & MICROWAVE TRANSISTORS  
AVIONICS APPLICATIONS  
Features  
·
·
·
·
·
DESIGNED FOR HIGH POWER PULSED IFF  
720 WATTS (min.) IFF 1030 or 1090 MHz  
REFRACTORY GOLD METALLIZATION  
6.8 dB MIN. GAIN  
LOW THERMAL RESISTANCE FOR RELIABILTY AND  
RUGGEDNESS  
·
·
30:1 LOAD VSWR CAPABILITY AT SPECIFIED  
OPERATING CONDITIONS  
INPUT MATCHED, COMMON BASE CONFIGURATION  
DESCRIPTION:  
The MS2475 is a silicon NPN power transistor designed for IFF  
applications. The MS2475 is designed to exceed the high peak  
power requirements of today's IFF systems. Hermetic sealing,  
gold metalization and internal input matching provide superior  
long term reliability and broadband performance.  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Tcase = 25°C)  
Symbol  
VCC  
Parameter  
Value  
55  
Unit  
V
Collector-Supply Voltage*  
IC  
45  
A
Device Current*  
(TC £ 100°C)  
PDISS  
TJ  
TSTG  
Power Dissipation*  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
1670  
+200  
- 65 to + 200  
W
°C  
°C  
Thermal Data  
RTH(j-c)  
Junction-Case Thermal Resistance*  
0.06  
°C/W  
* Applies only to rated RF operation.  
MSC0937A.DOC 10-20-98  

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