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MS1227

更新时间： 2024-01-23 18:36:02

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ADPOW		晶体晶体管射频微波
页数	文件大小	规格书
3页	113K
描述
RF & MICROWAVE TRANSISTORS HF SSB APPLICATIONS

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MS1227 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, O-PRFM-F4
针数：	4	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.65
其他特性：	WITH EMITTER BALLASTING RESISTORS	最大集电极电流 (IC)：	4.5 A
基于收集器的最大容量：	135 pF	集电极-发射极最大电压：	18 V
配置：	SINGLE	最高频带：	HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：	O-PRFM-F4	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	4
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	FLAT
端子位置：	RADIAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

MS1227 数据手册

MS1227

RF & MICROWAVE TRANSISTORS

HF SSB APPLICATIONS

Features

30 MHz

12.5 VOLTS

GOLD METALIZATION

P_OUT= 20 W MINIMUM

G_P= 15 dB

COMMON EMITTER CONFIGURATION

DESCRIPTION:

The MS1227 is a 12.5V epitaxial NPN planar transistor designed

primarily for SSB communications. This device utilizes emitter

ballasting for improved ruggedness and reliability.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Symbol

Parameter

Value

Unit

V_CBO

Collector-Base Voltage

V_CEO

V_EBO

I_C

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Device Current

4.0

4.5

P_DISS

T_J

Power Dissipation

°C

Junction Temperature

Storage Temperature

+200

T_STG

-65 to +150

Thermal Data

R_TH(J-C)

Junction-case Thermal Resistance

2.2

°C/W

MS1227.PDF 10-28-02

Advanced Power Technology reserves the right to change, without notice, the specifications and information contained herein

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