5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.24 | 熔断特性： | TIME LAG |
| 主体高度： | 7.7 mm | 主体长度或直径： | 8.35 mm |
| 电路保护类型： | Electric Fuse | 保险丝尺寸： | MICRO |
| JESD-609代码： | e3 | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 物理尺寸： | 8.35mm x 7.7mm |
| 额定分断能力： | 35 A | 额定电流： | 0.1 A |
| 额定电压： | 250 V | 参考标准： | CCC, CE, CSA, PSE, UL, VDE |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MRT100KP100A/TR | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 100000W, 100V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, |
|
| MRT100KP100AE3/TR | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 100000W, 100V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, |
|
| MRT100KP100CA/TR | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 100000W, 100V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, P |
|
| MRT100KP100CAE3/TR | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 100000W, 100V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, R |
|
| MRT100KP100CATR | MICROSEMI |
获取价格 |
100000W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, PLASTIC, CASE 5A, 2 PIN |
|
| MRT100KP110A/TR | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 100000W, 110V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, |
|
| MRT100KP110AE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 100000W, 110V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, |
|
| MRT100KP110AE3/TR | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 100000W, 110V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, |
|
| MRT100KP110AE3TR | MICROSEMI |
获取价格 |
100000W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE 5A, 2 PIN |
|
| MRT100KP110ATR | MICROSEMI |
获取价格 |
100000W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, PLASTIC, CASE 5A, 2 PIN |
|
塔塔电子与力积电达成技术转让协议，携手建设印度首座晶圆厂
英特尔震撼发布：128核心256线程的至强6性能核处理器
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
