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MRT100KP150A

更新时间： 2024-09-28 14:30:31

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		局域网二极管
页数	文件大小	规格书
7页	427K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 100000W, 150V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-204AR, PLASTIC, CASE 5A, 2 PIN

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MRT100KP150A 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	包装说明：	O-PALF-W2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.50	风险等级：	5.51
Is Samacsys：	N	其他特性：	HIGH RELIABILITY
最大击穿电压：	185 V	最小击穿电压：	167 V
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码：	DO-204AR	JESD-30 代码：	O-PALF-W2
JESD-609代码：	e0	湿度敏感等级：	1
最大非重复峰值反向功率耗散：	100000 W	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-65 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性：	UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：	7 W	参考标准：	MIL-19500
最大重复峰值反向电压：	150 V	表面贴装：	NO
技术：	AVALANCHE	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	WIRE	端子位置：	AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MRT100KP150A/TR	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 100000W, 150V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon,
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MRT100KP160A/TR	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 100000W, 160V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon,
MRT100KP160AE3/TR	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 100000W, 160V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon,
MRT100KP160AE3TR	MICROSEMI	获取价格	100000W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE 5A, 2 PIN