MRAL1720-5

更新时间： 2025-08-19 10:47:51

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描述
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

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MRAL1720-5 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.13	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	1 A	基于收集器的最大容量：	8 pF
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	10
最高频带：	L BAND	JESD-30 代码：	R-CDFM-F2
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

MRAL1720-5 数据手册

MRAL1720-5

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

DESCRIPTION:

PACKAGE STYLE 400 4L FLG

The ASI MRAL1720-5 is Designed

for Class C, Common Base Wideband

Large Signal Amplifier Applications up

to 2.0 GHz.

FEATURES:

• Diffused Ballast Resistors.

• Internal Matching Network

• Omnigold™ Metalization System

MAXIMUM RATINGS

1.0 A ^(CONT)

42 V

I_C

V_CES

V_EBO

T_J

3.5 V

-65 °C to +200 °C

-65 °C to +150 °C

8.0 °C/W

T_STG

θ_JC

NONE

CHARACTERISTICS ^T_C= 25 °C

SYMBOL

BV_CES

TEST CONDITIONS

MINIMUM TYPICAL MAXIMUM UNITS

I_C= 40 mA

I_E= 0.5 mA

3.5

BV_EBO

I_CBO

_CB= 22 V

_CE= 5.0 V

1.0

---

I_C= 200 mA

P_out= 5.0 W

100

h_FE

V_CB= 28 V

V_CE= 22 V

f = 1.0 MHz

8.0

C_ob

6.5

G_PB

f = 1.7 GHz & 2.0 GHz

A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.

REV. A

1/1

7525 ETHEL AVENUE • NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 • (818) 982-1200 • FAX (818) 765-3004

Specifications are subject to change without notice.

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