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MR256A08BCMA35R

更新时间： 2024-02-07 20:12:33

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EVERSPIN		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
24页	1150K
描述
32K x 8 MRAM

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MR256A08BCMA35R 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	BGA	包装说明：	LFBGA, BGA48,6X8,30
针数：	48	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.71
风险等级：	5.09	最长访问时间：	35 ns
JESD-30 代码：	S-PBGA-B48	长度：	8 mm
内存密度：	262144 bit	内存集成电路类型：	MEMORY CIRCUIT
内存宽度：	8	混合内存类型：	N/A
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
端子数量：	48	字数：	32768 words
字数代码：	32000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	32KX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	LFBGA	封装等效代码：	BGA48,6X8,30
封装形状：	SQUARE	封装形式：	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：	260	电源：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.35 mm
最大待机电流：	0.007 A	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.065 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子形式：	BALL
端子节距：	0.75 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	宽度：	8 mm
Base Number Matches：	1

MR256A08BCMA35R 数据手册

MR256A08B

32K x 8 MRAM

FEATURES

• 3.3 Volt power supply

• Fast 35 ns read/write cycle

• SRAM compatible timing

• Native non-volatility

48-ball FBGA

44-pin TSOP2

• Unlimited read & write endurance

• Data always non-volatile for >20 years at temperature

• Commercial and industrial temperatures

• All products meet MSL-3 moisture sensitivity level

• RoHS-Compliant TSOP2 and BGA packages

BENEFITS

• One memory replaces FLASH, SRAM, EEPROM and MRAM

in system for simpler, more eﬃcient design

• Improves reliability by replacing battery-backed SRAM

INTRODUCTION

The MR256A08B is a 262,144-bit magnetoresistive random access

memory (MRAM) device organized as 32,768 words of 8 bits. The

MR256A08B oﬀers SRAM compatible 35ns read/write timing with un-

limited endurance.

RoHS

Data is always non-volatile for greater than 20-years. Data is automatically protected on

power loss by low-voltage inhibit circuitry to prevent writes with voltage out of speciﬁcation.

The MR256A08B is the ideal memory solution for applications that must permanently store

and retrieve critical data and programs quickly.

The MR256A08B is available in a small footprint 400-mil, 44-lead plastic small-outline TSOP

type-2 package, or an 8 mm x 8 mm, 48-pin ball grid array (BGA) package. (The 32-SOIC

package options is obsolete and no longer available for new orders.) All package footprints

are compatible with similar low-power SRAM products and other non-volatile RAM products.

The MR256A08B provides highly reliable data storage over a wide range of temperatures.

The product is oﬀered with commercial temperature (0 to +70 °C) and industrial temperature

(-40 to +85 °C) range options.

MR256A08B Rev. 6.5 3/2018

12 3 4 5 6 7...24

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MR256A08BCMA35R 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
MR256A08BMA35R	EVERSPIN	完全替代	32K x 8 MRAM
MR256A08BCMA35	EVERSPIN	完全替代	32K x 8 MRAM
MR256A08BCYS35	EVERSPIN	类似代替	32K x 8 MRAM

与MR256A08BCMA35R相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MR256A08BCSO35	EVERSPIN	获取价格	32K x 8 MRAM
MR256A08BCSO35R	EVERSPIN	获取价格	32K x 8 MRAM
MR256A08BCYS35	EVERSPIN	获取价格	32K x 8 MRAM
MR256A08BCYS35R	EVERSPIN	获取价格	32K x 8 MRAM
MR256A08BMA35	EVERSPIN	获取价格	32K x 8 MRAM
MR256A08BMA35R	EVERSPIN	获取价格	32K x 8 MRAM
MR256A08BSO35	EVERSPIN	获取价格	32K x 8 MRAM
MR256A08BSO35R	EVERSPIN	获取价格	32K x 8 MRAM
MR256A08BYS35	EVERSPIN	获取价格	32K x 8 MRAM
MR256A08BYS35R	EVERSPIN	获取价格	32K x 8 MRAM

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