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MQ1N5954CUR-1

更新时间: 2024-10-28 18:56:27
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美高森美 - MICROSEMI 测试二极管
页数 文件大小 规格书
5页 293K
描述
Zener Diode

MQ1N5954CUR-1 技术参数

是否无铅:含铅是否Rohs认证:不符合
生命周期:Active零件包装代码:DO-213AB
包装说明:O-LELF-R2针数:2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.64
Is Samacsys:N其他特性:METALLURGICALLY BONDED, HIGH RELIABILITY
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:ZENER DIODE
JEDEC-95代码:DO-213ABJESD-30 代码:O-LELF-R2
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:175 °C
最低工作温度:-65 °C封装主体材料:GLASS
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:1.25 W参考标准:MIL-19500
标称参考电压:160 V表面贴装:YES
技术:ZENER端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:WRAP AROUND端子位置:END
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED最大电压容差:2%
工作测试电流:2.3 mABase Number Matches:1

MQ1N5954CUR-1 数据手册

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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Zener Diode, 180V V(Z), 10%, 1.25W, Silicon, Unidirectional, DO-213AB, HERMETIC SEALED, GL