MPSA44B

更新时间： 2024-11-03 04:39:15

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4页	151K
描述
HIGH VOLTAGE TRANSISTOR

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MPSA44B 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.69
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	0.3 A
配置：	Single	最小直流电流增益 (hFE)：	40
JESD-609代码：	e0	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	1.5 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	标称过渡频率 (fT)：	50 MHz
Base Number Matches：	1

MPSA44B 数据手册

UTC MPSA 44B

NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

HIGH VOLTAGE TRANSISTOR

FEATURES

*Collector-Emitter voltage: V_CEO=400V

*Collector current up to 300mA

*Complement to MPSA94

*Collector Dissipation: Pc(max)=625mW

TO-92

1: BASE 2: EMITTER 3: COLLECTOR

*Pb-free plating product number: MPSA44BL

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

( Operating temperature range applies unless otherwise specified )

PARAMETER

Collector-base voltage

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

RATINGS

500

UNIT

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

400

625

1.5

℃

Collector dissipation(Ta=25 )

℃

Collector dissipation(Tc=25 )

Collector current

Junction Temperature

Storage Temperature

T_j

T_stg

300

150

-55 ~ +150

℃

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

℃

(T_j=25 ,unless otherwise specified)

PARAMETER

SYMBOL

TEST CONDITIONS

MIN

500

400

TYP

MAX

UNIT

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

Emitter cut-off current

BV_CBOIc=100µA, I_B=0

BV_CEOIc=1mA, I_B=0

BV_EBOI_E=100µA, Ic=0

I_CBO

I_CES

I_EBO

V_CB=400V,I_E=0

VCE=400V,IB=0

VEB=4V,Ic=0

0.1

0.5

0.1

µA

V_CE=10V, Ic=1mA

V_CE=10V, Ic=10mA

V_CE=10V, Ic=50mA

V_CE=10V, Ic=100mA

240

DC current gain(note)

h_FE

Ic=1mA, I_B=0.1mA

0.4

0.5

0.75

Collector-emitter saturation voltage

V_CE(sat) Ic=10mA, I_B=1mA

Ic=50mA, I_B=5mA

V_BE(sat) Ic=10mA, I_B=1mA

f_T

Base-emitter saturation voltage

Current gain bandwidth product

Output capacitance

MHz

V_CE=20V, Ic=10mA, f=100MHz

Cob

V_CB=20V, I_E=0, f=1MHz

UTC

UNISONIC TECHNOLOGIES CO. LTD

www.unisonic.com.tw

QW-R201-079,B

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