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MPSA42RLRAG

更新时间： 2024-11-04 02:57:23
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 107K
描述
High Voltage Transistors

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MPSA42RLRAG 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-92
包装说明：LEAD FREE, CASE 29-11, TO-226AA, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.57
最大集电极电流 (IC)：0.5 A集电极-发射极最大电压：300 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：40
JEDEC-95代码：TO-92JESD-30 代码：O-PBCY-T3
JESD-609代码：e1元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：1.5 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：50 MHzBase Number Matches：1

MPSA42RLRAG 数据手册

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MPSA42, MPSA43  
High Voltage Transistors  
NPN Silicon  
Features  
http://onsemi.com  
• Pb−Free Packages are Available*  
COLLECTOR  
3
MAXIMUM RATINGS  
2
BASE  
Rating  
Symbol  
Value  
Unit  
Collector−Emitter Voltage  
V
CEO  
Vdc  
1
EMITTER  
MPSA43  
MPSA42  
200  
300  
Collector−Base Voltage  
Emitter−Base Voltage  
V
Vdc  
CBO  
MPSA43  
MPSA42  
200  
300  
V
6.0  
Vdc  
EBO  
Collector Current − Continuous  
I
500  
mAdc  
C
TO−92  
(TO−226AA)  
CASE 29−11  
Total Device Dissipation  
P
D
D
1
2
3
BENT LEAD  
TAPE & REEL  
AMMO PACK  
1
@ T = 25°C  
625  
5.0  
mW  
mW/°C  
2
A
3
Derate above 25°C  
STRAIGHT LEAD  
BULK PACK  
Total Device Dissipation  
P
@ T = 25°C  
1.5  
12  
W
mW/°C  
C
Derate above 25°C  
MARKING DIAGRAM  
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
−55 to  
+150  
°C  
J
stg  
MPS  
A4x  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
AYWWG  
Symbol  
Max  
Unit  
G
Thermal Resistance,  
R
q
JA  
200  
°C/mW  
Junction−to−Ambient  
Thermal Resistance,  
Junction−to−Case  
R
q
JC  
83.3  
°C/mW  
x
A
=
2 or 3  
= Assembly Location  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
Y
=
=
Year  
Work Week  
WW  
G
= Pb−Free Package  
(Note: Microdot may be in either location)  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 3 of this data sheet.  
*For additional information on our Pb−Free strategy and soldering details, please  
download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques  
Reference Manual, SOLDERRM/D.  
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2010  
1
Publication Order Number:  
September, 2010 − Rev. 6  
MPSA42/D  
123456

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MPSA42RLRAG 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
MPSA42G ONSEMI

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MPSA42RL1G ONSEMI

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MMBTA42LT1G ONSEMI

类似代替

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与MPSA42RLRAG相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MPSA42RLRM ROCHESTER

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 		50mA, 300V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, CASE 29-11, TO-226AA, 3 PIN
MPSA42RLRMG ONSEMI

获取价格

 		NPN Bipolar Small Signal Transistor, TO-92 (TO-226) 5.33mm Body Height, 2000-FNFLD
MPSA42RLRPG ONSEMI

获取价格

 		High Voltage Transistors
MPSA42SM DIODES

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
MPSA42SMTA DIODES

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
MPSA42SMTC DIODES

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
MPSA42STOA DIODES

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
MPSA42STOB DIODES

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
MPSA42-STYLE-A ALLEGRO

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
MPSA42-STYLE-B ALLEGRO

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92

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