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MP6Z13TR

更新时间： 2024-11-23 20:04:51
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 放大器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 546K
描述
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 6 Pin, MPT6, 6 PIN

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MP6Z13TR 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6
针数：6Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.82
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：3 A
集电极-发射极最大电压：50 V配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)：180JESD-30 代码：R-PDSO-F6
JESD-609代码：e2元件数量：2
端子数量：6最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：NPN AND PNP最大功率耗散 (Abs)：2 W
认证状态：Not Qualified子类别：BIP General Purpose Small Signal
表面贴装：YES端子面层：TIN COPPER
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：10晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：320 MHz
Base Number Matches：1

MP6Z13TR 数据手册

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Data Sheet  
Midium Power Transistors (±50V / ±3A)  
MP6Z13  
Structure  
Dimensions (Unit : mm)  
NPN/PNP Silicon epitaxial planar transistor  
MPT6  
(Dual)  
Features  
(6)  
(1)  
(5)  
(2)  
(4)  
(3)  
1) Low saturation voltage, typically  
V
CE (sat) = 0.35V (Max.) (IC / IB= 1A / 50mA)  
(1) Tr.1 Emitter  
(2) Tr.1 Base  
(3) Tr.2 Collector  
(4) Tr.2 Emitter  
(5) Tr.2 Base  
VCE (sat) = -0.40V (Max.) (IC / IB= -1A / -50mA)  
2) High speed switching  
(6) Tr.1 Collector  
Applications  
Low Frequency Amplifier  
Driver  
Packaging specifications  
Inner circuit (Unit : mm)  
Package  
Code  
MPT6  
TR  
Type  
(6)  
(5)  
(4)  
Basic ordering unit (pieces) 1000  
Tr.2  
(1) Tr.1 Emitter  
(2) Tr.1 Base  
Tr.1  
(3) Tr.2 Collector  
(4) Tr.2 Emitter  
(5) Tr.2 Base  
Absolute maximum ratings (Ta = 25C)  
ꢀ<Tr.1>  
(2)  
(3)  
(1)  
(6) Tr.1 Collector  
Parameter  
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Symbol  
Limits  
Unit  
V
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
50  
50  
6
V
V
DC  
3
A
Collector current  
Pulsed  
ICP  
6
A
*1  
ꢀ<Tr.2>  
Parameter  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
Limits  
-50  
-50  
-6  
Unit  
V
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
V
V
DC  
-3  
A
Collector current  
Pulsed  
ICP  
-6  
A
*1  
ꢀ<Tr.1 and Tr.2>  
Parameter  
Symbol  
Limits  
2.0  
Unit  
W/Total  
W/Element  
C  
*2  
PD  
Power dissipation  
*2  
PD  
1.4  
Junction temperature  
Tj  
150  
Range of storage temperature  
Tstg  
-55 to 150  
C  
*1 Pw=10ms, Single Pulse  
*2 Mounted on a 40 x 40 x 0.7[mm] ceramic board.  
www.rohm.com  
2011.02 - Rev.A  
© 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.  
1/7  
12345678

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MP6Z1TR ROHM

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 32V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon, M
MP6Z2 ROHM

获取价格

 		Medium Power Transistor (32V, 2A)
MP6Z2TR ROHM

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 32V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon, Plastic/
MP6Z3 ROHM

获取价格

 		Medium Power Transistor (60V, 3A)
MP6Z3TR ROHM

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon, Plastic/
MP70 RIEDON

获取价格

 		Film Resistors
MP7001 TOSHIBA

获取价格

 		TOSHIBA Power Module
MP7002 TOSHIBA

获取价格

 		TOSHIBA POWER MODULE
MP7003 TOSHIBA

获取价格

 		Power Module
MP7010.4OHMS0.25% VISHAY

获取价格

 		Fixed Resistor, Metal Film, 1W, 10.4ohm, 400V, 0.25% +/-Tol, -5,5ppm/Cel, Through Hole Mou

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