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MP1008-G PDF预览

MP1008-G

更新时间： 2024-01-05 01:05:45
品牌 Logo 应用领域
上华 - COMCHIP 整流二极管桥式整流二极管
页数 文件大小 规格书
2页 64K
描述
Silicon Bridge Rectifiers

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MP1008-G 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Active
包装说明：R-PUFM-W4Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.67Is Samacsys：N
其他特性：UL APPROVED最小击穿电压：800 V
配置：BRIDGE, 4 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：BRIDGE RECTIFIER DIODEJESD-30 代码：R-PUFM-W4
最大非重复峰值正向电流：300 A元件数量：4
相数：1端子数量：4
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：10 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED最大重复峰值反向电压：800 V
表面贴装：NO端子形式：WIRE
端子位置：UPPER处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

MP1008-G 数据手册

 浏览型号MP1008-G的Datasheet PDF文件第2页 
Silicon Bridge Rectifiers  
MP1000-G THRU MP1010-G (RoHS Device)  
Reverse Voltage: 50 ~ 1000 Volts  
Forward Current: 10 Amp  
Features:  
Diffused Junction  
High Current Capability  
MP-10  
High Case Dielectric Strength  
High Surge Current Capability  
Ideal for Printed Circuit Board Application  
Plastic Material has Underwriters  
Laboratory Flammability Classification 94V-0  
H
J
G
KBP  
Min.  
14.73  
5.80  
19.00  
1.00 O Typical  
+
~
-
Dim  
Max  
15.75  
6.90  
-
A
B
C
D
E
A
E
~
5.11  
6.14  
E
Hole for #6 screw  
G
Mechanical Data:  
3.60  
10.30  
2.38x45ºC Typical  
4.00  
11.30  
J
I
Case: Molded Plastic  
D
C
B
Terminals: Plated Leads Solderable Per MIL  
STD-202, Method 208  
All Dimensions in mm  
Weight: 5.4 grams (approx.)  
Mounting position: Through Hole for #6  
Screw  
Metal Heat Sink  
Maximum Ratings and Electrical Characteristics  
Single Phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate currently by 20%.  
MP  
MP  
MP  
MP  
KBP  
KBP  
KBP  
Symbol  
Characteristics  
UNIT  
V
1000-G 1001-G 1002-G 1004-G 1006-G 1008-G 1010-G  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
V
V
RRM  
RWM  
50  
35  
100  
70  
200  
140  
400  
600  
420  
800  
560  
1000  
700  
V
R
V
A
RMS Reverse Voltage  
280  
10  
V
R(RMS)  
Average Rectified Output Current (Note1) @ T = 50ºC  
I
o
A
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current 8.3ms Single  
Half-sine-wave superimposed on rated load (JEDEC  
Method)  
I
FSM  
200  
1.1  
A
V
V
FM  
RM  
2
Forward Voltage (per element) @ I =2.0A  
F
10  
1.0  
Peak Reverse Current @ T =25ºC  
uA  
A
I
At Rated DC Blocking Voltage @ T =100ºC  
A
2
A S  
Rating for Fusing (t<8.3ms) (Note2)  
Typical Thermal Resistance (Note4)  
Operating and Storage Temperature Range  
Typical Junction Capacitance (Note3)  
I t  
64  
7.5  
K/W  
ºC  
R
θJA  
TJ, TSTG  
CJ  
-55 to +160  
110  
pF  
Note:  
1. Non-repetitive for t>1ms and <8.3ms.  
2. Thermal resistance junction to ambient mounted on PC board with 13.0 x 13.0 x 0.03 mm thick land areas.  
3. Measured at 1.0MHz and applied reverse voltage of 4.0V D.C.  
4. Thermal resistance junction to case per element.  
“-G” suffix designated RoHS compliant version  
.
.
.
Page1  
Comchip Technology Corporation Tel:510-657-8671 Fax: 510-657-8921 www.comchiptech.com  
12

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