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MP1008G-G

更新时间： 2024-09-25 07:17:59
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上华 - COMCHIP /
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3页 79K
描述
SMD Glass Passivated Bridge Rectifiers

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MP1008G-G 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：R-XUFM-W4Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.76其他特性：UL RECOGNIZED
最小击穿电压：800 V配置：BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：1.1 VJESD-30 代码：R-XUFM-W4
最大非重复峰值正向电流：175 A元件数量：4
相数：1端子数量：4
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：10 A封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED最大重复峰值反向电压：800 V
子类别：Bridge Rectifier Diodes表面贴装：NO
端子形式：WIRE端子位置：UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

MP1008G-G 数据手册

 浏览型号MP1008G-G的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MP1008G-G的Datasheet PDF文件第3页 
SMD Glass Passivated Bridge Rectifiers  
MP10005G-G Thru. MP1010G-G  
Reverse Voltage: 50 to 1000V  
Forward Current: 10.0A  
RoHS Device  
MP8  
Features  
Metal Heat Sink  
-Low forward voltage drop.  
-Small size ; simple installation.  
-Sliver plated copper leads  
-Surge overload rating - 200 amperes peak.  
0.307(7.8)  
0.267(6.8)  
0.750(19.0)  
MIN.  
-Materials used carries U/L recognition.  
0.052(1.3)  
0.048(1.2)  
DIA.  
Mechanical Data  
Hole for NO.6 Screw  
0.770(19.6)  
0.730(18.5)  
-Polarit:As marked on Body  
-Mounting position:Any  
-Weight: 7.33 grams  
0.520(13.2)  
0.480(12.2)  
0.770(19.6)  
0.730(18.5)  
0.520(13.2)  
0.480(12.2)  
Dimensions in inches and (millimeter)  
Maximum ratings and electrical characteristics  
Rating at 25°C ambient temperature unless otherwise specified.  
Single phase, half wave ,60Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%  
MP1001G MP1002G MP1004G MP1006G MP1008G MP1010G  
MP10005G  
-G  
Unit  
Symbol  
Parameter  
-G  
100  
70  
-G  
-G  
-G  
-G  
-G  
Maximum Peak Recurrent Reverse Voltage  
Maximum RMS Bridge Input Voltage  
Maximum DC Blocking Voltage  
VRRM  
50  
35  
50  
200  
140  
200  
400  
280  
400  
600  
420  
600  
800  
560  
800  
1000  
700  
V
V
V
VRMS  
VDC  
100  
1000  
Maximum Average Forward Rectified  
I
(AV)  
10.0  
175  
1.1  
A
A
V
Output Current  
@T =50°C  
A
Peak Forward Surage Current ,  
8.3ms Single Half Sine-Wave  
Super Imposed On Rated Load  
IFSM  
Maximum Forward Voltage Drop  
Per Bridge Element at 5.0A Peak  
V
F
@ TJ=25°C  
μA  
mA  
°C  
Maximum Reverse Current at  
Rated DC Blocking Voltage  
Per Element  
10  
1.0  
I
R
@ TJ=100°C  
Operating Temperature Range  
Storage Temperature Range  
TJ  
-55 to +150  
T
STG  
-55 to +150  
°C  
REV:A  
Page 1  
QW-BBR67  
Comchip Technology CO., LTD.  
123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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