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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | FLANGE MOUNT, S-CDFM-P12 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.8 | 配置： | SEPARATE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 200 V | 最大漏极电流 (ID)： | 18 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.18 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | S-CDFM-P12 | 元件数量： | 4 |
| 端子数量： | 12 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装形状： | SQUARE |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 72 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | PIN/PEG | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MOD2013 | SENSITRON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 200V, 0.18ohm, 6-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| MOD2013S | SENSITRON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 200V, 0.18ohm, 6-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| MOD2014 | SENSITRON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 200V, 0.045ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| MOD2014S | SENSITRON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 200V, 0.045ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| MOD2015 | SENSITRON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 200V, 0.045ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| MOD2016 | SENSITRON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 200V, 0.045ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| MOD2016S | SENSITRON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 200V, 0.045ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| MOD2017 | SENSITRON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 200V, 0.045ohm, 6-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| MOD2017S | SENSITRON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 200V, 0.045ohm, 6-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| MOD2018 | SENSITRON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 300V, 0.1ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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