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MOD2005

更新时间： 2024-11-30 20:43:39

品牌	Logo	应用领域
SENSITRON		局域网脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	40K
描述
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 100V, 0.077ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,

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MOD2005 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, S-CDFM-P12
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.8	配置：	SEPARATE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	100 V	最大漏极电流 (ID)：	20 A
最大漏源导通电阻：	0.077 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	S-CDFM-P12	元件数量：	4
端子数量：	12	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	SQUARE
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	110 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	PIN/PEG	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

MOD2005 数据手册

MODXX-XX

tSENSITRON

SEMICONDUCTOR

STANDARD HERMETIC MOSFET MODULES

FEATURES:

High Power Density

Low Saturation Voltage (V_CE(SAT)

Low Thermal Resistance (R_qJC

)

INDUSTRIAL IGBT PRODUCT MAP

I_D(Amps)

CONFIGURATION

Half-Bridge

V_DSS(V)

100

MOD2007

MOD2014

200

300

MOD2018

600

MOD2022

MOD2001

MOD2004

MOD2011

MOD2015

MOD2019

MOD2023

MOD2002

MOD2005

MOD2009

MOD2012

Buck & Boost

100

200

300

600

100

MOD2008

MOD2016

H-Bridge

200

300

600

MOD2020

MOD2024

MOD2003

MOD2006

MOD2013

100

200

300

600

MOD2010

MOD2021

3-Phase Bridge

MOD2017

MOD2025

· 221 West Industry Court · Deer Park, NY 11729-4681 · Phone (631) 586-7600 · Fax (631) 242-9798 ·

· World Wide Web Site - http://www.sensitron. com · E-Mail Address - sales@sensitron.com ·

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MOD2005S	SENSITRON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 100V, 0.077ohm, 4-Element, N-Channel, Silicon, Me
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MOD2006S	SENSITRON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 100V, 0.077ohm, 6-Element, N-Channel, Silicon, Me
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