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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-CDFM-P12 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.76 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 20 A | 集电极-发射极最大电压： | 600 V |
| 配置： | BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | JESD-30 代码： | R-CDFM-P12 |
| 元件数量： | 6 | 端子数量： | 12 |
| 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | PIN/PEG |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MOD1017S | SENSITRON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 20A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, HERMETIC SEALED PAC |
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| MOD1018 | SENSITRON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, |
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| MOD1019 | SENSITRON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 35A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, |
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| MOD1019S | SENSITRON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 35A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, HERMETIC SEALED PAC |
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| MOD1020 | SENSITRON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, |
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| MOD1020S | SENSITRON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, HERMETIC SEALED PAC |
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| MOD1021 | SENSITRON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 35A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, |
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| MOD1021S | SENSITRON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 35A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, HERMETIC SEALED PAC |
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| MOD1022 | SENSITRON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, |
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| MOD1022S | SENSITRON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, HERMETIC SEALED PAC |
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