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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-CDFM-P12 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.76 |
| 其他特性： | HIGH SPEED | 最大集电极电流 (IC)： | 60 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 600 V | 配置： | BRIDGE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
| JESD-30 代码： | R-CDFM-P12 | 元件数量： | 4 |
| 端子数量： | 12 | 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | PIN/PEG | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MOD1009S | SENSITRON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 60A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, HERMETIC SEALED PAC |
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| MOD100B | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, 4-Element, Metal-oxide Semiconductor FET |
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| MOD1010 | SENSITRON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-12 |
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| MOD1010S | SENSITRON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 70A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, HERMETIC SEALED PAC |
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| MOD1011 | SENSITRON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, |
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| MOD1011S | SENSITRON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, HERMETIC SEALED PAC |
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| MOD1012S | SENSITRON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 48A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, HERMETIC SEALED PAC |
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| MOD1013 | SENSITRON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 25A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, |
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| MOD1013S | SENSITRON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 35A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, HERMETIC SEALED PAC |
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| MOD1014 | SENSITRON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, |
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