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MMZ09332BT1

更新时间： 2024-11-16 19:56:03
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 射频微波
页数 文件大小 规格书
28页 1209K
描述
InGaP HBT 400--1000 MHz, 29 dB 33 dBm

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MMZ09332BT1 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Transferred
包装说明：QFN-12Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.69特性阻抗：50 Ω
构造：COMPONENT增益：28.7 dB
最大输入功率 (CW)：29 dBm最大工作频率：1000 MHz
最小工作频率：130 MHz射频/微波设备类型：NARROW BAND MEDIUM POWER
Base Number Matches：1

MMZ09332BT1 数据手册

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Document Number: MMZ09332B  
Rev. 0, 8/2015  
Freescale Semiconductor  
Technical Data  
Heterojunction Bipolar Transistor  
Technology (InGaP HBT)  
MMZ09332BT1  
High Efficiency/Linearity Amplifier  
The MMZ09332B is a 2--stage, high linearity InGaP HBT broadband amplifier  
designed for femtocell, picocell, smart grid, W--CDMA, TD--SCDMA and LTE  
wireless broadband applications. It provides exceptional linearity for LTE and  
W--CDMA air interfaces with an ACPR of –50 dBc at an output power of up to  
23 dBm, covering frequencies from 130 to 1000 MHz. It operates from a supply  
voltage of 3 to 5 volts. The amplifier requires minimal external matching and  
offers state--of--the--art reliability, ruggedness, temperature stability and ESD  
performance.  
130–1000 MHz, 30 dB, 33 dBm  
InGaP HBT LINEAR AMPLIFIER  
Typical PA Performance: VCC1 = VCC2 = VBIAS = 5 Vdc, ICQ = 140 mA  
P
G
ACPR  
(dBc)  
I
CC  
(mA)  
out  
ps  
Frequency  
748 MHz  
942 MHz  
(dBm)  
(dB)  
30.9  
27.1  
Test Signal  
W--CDMA  
W--CDMA  
23  
–49.6  
–50.4  
315  
QFN 3 3  
22  
240  
Typical PA Performance: VCC1 = VCC2 = VBIAS = 5 Vdc, ICQ = 110 mA  
P
G
(dB)  
PAE  
(%)  
out  
ps  
Frequency  
(dBm)  
Test Signal  
450 MHz  
32.3  
37.2  
45.5 @ 5 V  
CW  
30.3 @ 3.6 V 26.3 @ 3.6 V 53.7 @ 3.6 V  
760 MHz  
32.2 30.8 40.0 @ 5 V  
CW  
Features  
Frequency: 130–1000 MHz  
P1dB: 33 dBm, 450 to 1000 MHz  
OIP3: up to 48 dBm @ 900 MHz  
Excellent Linearity  
Active Bias Control (adjustable externally)  
Single 3 to 5 V Supply  
Single--ended Power Detector  
Cost--effective 12--pin 3 mm QFN Surface Mount Plastic Package  
Power  
Down  
V
V
V
V
CC1  
BA1 BA2 BIAS  
ACTIVE BIAS WITH  
POWER DOWN  
V
/
INTERSTAGE  
MATCH  
INPUT  
PREMATCH  
OUTPUT  
PREMATCH  
CC2  
RF  
RF  
in  
out  
OUTPUT POWER  
DETECTOR  
P
DET  
Figure 1. Functional Block Diagram  
Freescale Semiconductor, Inc., 2015. All rights reserved.  
1234567...28

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