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Datasheet > 触发装置 > 硅浪涌保护器> MMT10B350T3G
MMT10B350T3G PDF预览

MMT10B350T3G

更新时间： 2024-01-31 11:53:46
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 触发装置硅浪涌保护器光电二极管高压
页数 文件大小 规格书
5页 58K
描述
Thyristor Surge Protectors High Voltage Bidirectional TSPD

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MMT10B350T3G 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：DO-214包装说明：LEAD FREE, CASE 403C, SMT, SMB, 2 PIN
针数：2Reach Compliance Code：not_compliant
HTS代码：8541.30.00.80Factory Lead Time：1 week
风险等级：5.74Is Samacsys：N
其他特性：UL RECOGNIZED最大转折电压：400 V
配置：SINGLE最大断态直流电压：300 V
JEDEC-95代码：DO-214AAJESD-30 代码：R-PDSO-C2
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-40 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260认证状态：Not Qualified
子类别：Silicon Surge Protectors表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：C BEND
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
触发设备类型：SILICON SURGE PROTECTORBase Number Matches：1

MMT10B350T3G 数据手册

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MMT10B350T3  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
−40 to +125  
+175  
Unit  
°C  
Operating Temperature Range Blocking or Conducting State  
T
J1  
Overload Junction Temperature − Maximum Conducting State Only  
Maximum Lead Temperature for Soldering Purposes 1/8″ from Case for 10 Seconds  
T
°C  
J2  
T
260  
°C  
L
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted) Devices are bidirectional. All electrical parameters apply to  
J
forward and reverse polarities.  
Characteristics  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
Breakover Voltage (Both polarities)  
V
V
(BO)  
(dv/dt = 100 V/ms, I = 1.0 A, Vdc = 1000 V)  
−
−
−
−
400  
412  
SC  
(+65°C)  
Breakover Voltage (Both polarities)  
V
V
(BO)  
(f = 60 Hz, I = 1.0 A(rms), V  
= 1000 V(rms),  
−
−
400  
SC  
OC  
R = 1.0 kW, t = 0.5 cycle) (Note 3)  
(+65°C)  
I
−
−
−
−
412  
−
Breakover Voltage Temperature Coefficient  
Breakdown Voltage (I = 1.0 mA) Both polarities  
dV  
/dT  
0.12  
350  
V/°C  
V
(BO)  
J
V
−
(BR)  
(BR)  
Off State Current (V = 50 V) Both polarities  
I
I
−
−
−
−
2.0  
5.0  
mA  
D1  
D1  
D2  
Off State Current (V = V ) Both polarities  
D2  
DM  
On−State Voltage (I = 1.0 A)  
V
−
−
1.82  
475  
300  
−
5.0  
−
V
T
T
(PW ≤ 300 ms, Duty Cycle ≤ 2%) (Note 3)  
Breakover Current (f = 60 Hz, V  
Both polarities  
= 1000 V(rms), R = 1.0 kW)  
I
mA  
mA  
V/ms  
pF  
DM  
S
BO  
Holding Current (Both polarities) (Note 3)  
= 500 V; I (Initiating Current) = "1.0 A  
I
150  
2000  
−
H
V
S
T
Critical Rate of Rise of Off−State Voltage  
dv/dt  
−
(Linear waveform, V = Rated V , T = 25°C)  
D
BR  
J
Capacitance (f = 1.0 MHz, 50 Vdc, 1.0 V rms Signal)  
Capacitance (f = 1.0 MHz, 2.0 Vdc, 1.0 V rms Signal)  
C
O
−
−
40  
81  
−
85  
3. Measured under pulse conditions to reduce heating.  
Voltage Current Characteristic of TSPD  
(Bidirectional Device)  
+ Current  
Symbol  
Parameter  
V
TM  
I
, I  
D1 D2  
Off State Leakage Current  
Off State Blocking Voltage  
Breakdown Voltage  
Breakover Voltage  
Breakover Current  
Holding Current  
V
(BO)  
V
V
V
, V  
D2  
D1  
I
BR  
BO  
H
I
(BO)  
I
I
D2  
D1  
I
I
BO  
+ Voltage  
H
V
V
V
(BR)  
D1  
D2  
V
On State Voltage  
TM  
http://onsemi.com  
2
 
12345

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