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Datasheet > 触发装置 > 硅浪涌保护器> MMT10B230T3G
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MMT10B230T3G

更新时间： 2024-02-12 10:37:47
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 触发装置硅浪涌保护器光电二极管高压
页数 文件大小 规格书
6页 60K
描述
Thyristor Surge Protectors High Voltage Bidirectional TSPD

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MMT10B230T3G 技术参数

是否无铅：不含铅生命周期：Obsolete
零件包装代码：DO-214包装说明：CASE 403C-01, SMB, 2 PIN
针数：2Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.30.00.80
Factory Lead Time：1 week风险等级：5.42
Is Samacsys：N其他特性：UL RECOGNIZED
最大转折电压：265 V配置：SINGLE
最大断态直流电压：170 VJEDEC-95代码：DO-214AA
JESD-30 代码：R-PDSO-C2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-40 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260认证状态：Not Qualified
子类别：DIACs表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：C BEND
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
触发设备类型：SILICON SURGE PROTECTORBase Number Matches：1

MMT10B230T3G 数据手册

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MMT10B230T3, MMT10B260T3, MMT10B310T3  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
J
Rating  
Symbol  
Value  
Unit  
Off−State Voltage − Maximum  
V
V
DM  
MMT10B230T3  
MMT10B260T3  
MMT10B310T3  
"170  
"200  
"270  
Maximum Pulse Surge Short Circuit Current Non−Repetitive  
Double Exponential Decay Waveform  
(Notes 1 and 2) (−20°C to +65°C)  
2 x 10 msec  
A(pk)  
I
I
I
"500  
"180  
"100  
10 x 700 msec  
10 x 1000 msec  
PPS1  
PPS2  
PPS3  
Maximum Non−Repetitive Rate of Change of On−State Current  
Double Exponential Waveform,  
di/dt  
"100  
A/ms  
R = 2.0, L = 1.5 mH, C = 1.67 mF,  
I
= 110A  
pk  
Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur. Maximum ratings applied to the device are individual stress limit  
values (not normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits are exceeded, device functional operation is not implied,  
damage may occur and reliability may be affected.  
1. Allow cooling before testing second polarity.  
2. Measured under pulse conditions to reduce heating.  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
Operating Temperature Range  
Blocking or Conducting State  
T
−40 to +125  
°C  
J1  
Overload Junction Temperature − Maximum Conducting State Only  
T
+175  
4000  
260  
°C  
W
J2  
Instantaneous Peak Power Dissipation (I = 100 A, 10x1000 msec @ 25°C)  
P
pk  
PK  
Maximum Lead Temperature for Soldering Purposes 1/8″ from Case for 10 Seconds  
T
°C  
L
ORDERING INFORMATION  
†
Device  
Package  
Shipping  
MMT10B230T3  
SMB  
MMT10B230T3G  
SMB  
(Pb−Free)  
MMT10B260T3  
SMB  
(12mm) Tape & Reel  
2500 Units per Reel  
MMT10B260T3G  
SMB  
(Pb−Free)  
MMT10B310T3  
SMB  
MMT10B310T3G  
SMB  
(Pb−Free)  
†For information on tape and reel specifications, including part orientation and tape sizes, please refer to our Tape and Reel Packaging  
Specifications Brochure, BRD8011/D.  
http://onsemi.com  
2
 
123456

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