MMT05B260T3G

更新时间： 2024-02-16 17:34:24

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描述
Thyristor Surge Protectors High Voltage Bidirectional TSPD

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MMT05B260T3G 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DO-214	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-C2
针数：	2	Reach Compliance Code：	not_compliant
HTS代码：	8541.30.00.80	Factory Lead Time：	1 week
风险等级：	5.43	Is Samacsys：	N
其他特性：	UL RECOGNIZED	最大转折电压：	320 V
配置：	SINGLE	最大断态直流电压：	200 V
JEDEC-95代码：	DO-214AA	JESD-30 代码：	R-PDSO-C2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-40 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
认证状态：	Not Qualified	子类别：	DIACs
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	C BEND	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	触发设备类型：	SILICON SURGE PROTECTOR
Base Number Matches：	1

MMT05B260T3G 数据手册

MMT05B230T3, MMT05B260T3, MMT05B310T3

1000

900

380

360

340

320

300

280

260

240

MMT05B310T3

MMT05B260T3

800

700

600

500

400

300

MMT05B230T3

200

100

220

200

−50

−25

100

125

−50

−25

100

125

TEMPERATURE (°C)

Figure 3. Breakover Voltage versus Temperature

Figure 4. Holding Current versus Temperature

100

t = rise time to peak value

t = decay time to half value

Peak

Value

100

Half Value

0.001

0.01

0.1

TIME (sec)

100

0 t

TIME (ms)

Figure 5. Exponential Decay Pulse Waveform

Figure 6. Peak Surge On−State Current versus

Surge Current Duration, Sinusoidal Waveform

TIP

GND

TELECOM

OUTSIDE

PLANT

EQUIPMENT

RING

http://onsemi.com

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