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MMSZ5230B

更新时间： 2024-02-10 09:16:51

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强茂 - PANJIT		稳压二极管测试光电二极管 IOT
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5页	84K
描述
SURFACE MOUNT SILICON ZENER DIODES

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MMSZ5230B 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	R-PDSO-G2
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.50
风险等级：	5.59	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	ZENER DIODE
JESD-30 代码：	R-PDSO-G2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性：	UNIDIRECTIONAL	最大功率耗散：	0.5 W
标称参考电压：	4.7 V	表面贴装：	YES
技术：	ZENER	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	工作测试电流：	20 mA
Base Number Matches：	1

MMSZ5230B 数据手册

MMSZ5221B thru MMSZ5259B

SURFACE MOUNT SILICON ZENER DIODES

POWER

500 mWatts

VOLTAGE

2.4 to 39 Volts

FEATURES

• Planar Die construction

• 500mW Power Dissipation

• Zener Voltages from 2.4V - 39V

• Ideally Suited for Automated Assembly Processes

MECHANICAL DATA

• Case: SOD-123, Molded Plastic

• Terminals: Solderable per MIL-STD-202, Method 208

• Polarity: See Diagram Below

SOD-123

• Approx. Weight: 0.008 grams

• Mounting Position: Any

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Parameter

Power Dissipation (Notes A) at 75^OC

Symbol

Value

500

Units

Amps

^OC

Peak Forward Surge Current, 8.3ms single half

sine-wave superimposed on rated load (JEDEC method) (Notes B)

4.0

IFSM

Operating Junction and StorageTemperature Range

-55 to +150

NOTES:

A. Mounted on 5.0mm²(.013mm thick) land areas.

B. Measured on 8.3ms, single half sine-wave or equivalent square wave, duty cycle = 4 pulses per minute maximum.

Part Number: MMSZ5221B - MMSZ5259B

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