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MMS9013-L-TP-HF

更新时间： 2024-01-29 02:41:03

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美微科 - MCC		/
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2页	231K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), NPN,

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MMS9013-L-TP-HF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.71
最大集电极电流 (IC)：	0.5 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	120	湿度敏感等级：	1
最高工作温度：	150 °C	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	0.3 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	标称过渡频率 (fT)：	150 MHz
Base Number Matches：	1

MMS9013-L-TP-HF 数据手册

M C C

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

20736 Marilla Street Chatsworth

ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ

ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ

$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ

MMS9013-L

MMS9013-H

Micro Commercial Components

Features

•

Halogen free available upon request by adding suffix "-HF"

SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors

Capable of 0.3Watts(Tamb=25^OC) of Power Dissipation.

Collector-current 0.5A

NPN Silicon

Plastic-Encapsulate

Transistor

Collector-base Voltage 40V

Operating and storage junction temperature range: -55^OC to +150^OC

Marking : J3

Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates

RoHS Compliant. See ordering information)

Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating

Moisure Sensitivity Level 1

SOT-23

Electrical Characteristics @ 25^OC Unless Otherwise Specified

Symbol

Parameter

Min

Max

Units

OFF CHARACTERISTICS

V_(BR)CBO

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

Collector-Base Breakdown Voltage

5.0

---

Vdc

(I =100uAdc, I_E=0)

Collector-Emitter Breakdown Voltage

(I =0.1mAdc, I_B=0)

Emitter-Base Breakdown Voltage

---

Vdc

(I =100uAdc, I_C=0)

Collector Cutoff Current

0.1

uAdc

CBO

(V_CB=40Vdc, I =0)

Collector Cutoff Current

CEO

(V_CE=20Vdc, I =0)

DIMENSIONS

I_EBO

Emitter Cutoff Current

INCHES

MIN

(V_EB=5.0Vdc, I =0)

DIM

MAX

MIN

2.80

2.10

1.20

.89

1.78

.45

.013

.89

MAX

3.04

2.64

1.40

1.03

2.05

.60

.100

1.12

.180

.51

NOTE

.110

.083

.047

.035

.070

.018

.0005

.035

.003

.015

.120

.104

.055

.041

.081

.024

.0039

.044

.007

.020

ON CHARACTERISTICS

h_FE(1)

DC Current Gain

120

---

350

---

(I =50mAdc, V_CE=1.0Vdc)

h_FE(2)

DCCurrent Gain

(I =500mAdc, V_CE=1.0Vdc)

V_CE(sat)

V_BE(sat)

V_EB

Collector-Emitter Saturation Voltage

0.6

1.2

1.4

Vdc

.085

.37

(I =500mAdc, I_B=50mAdc)

Base-Emitter Saturation Voltage

---

Suggested Solder

Pad Layout

(I =500mAdc, I_B=50mAdc)

Base- Emitter Voltage

(I_E=100mAdc)

---

.031

.800

SMALL-SIGNAL CHARACTERISTICS

f_T

.035

.900

Transistor Frequency

(I =20mAdc, V_CE=6.0Vdc, f=30MHz)

150

---

MHz

.079

inches

2.000

CLASSIFICATION OF HFE (1)

Rank

Range

120-200

200-350

.037

.950

.037

.950

www.mccsemi.com

1 of 2

Revision: B

2013/01/01

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
MMS9013-TP	MCC	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTIC	获取价格
MMS9013-TP-HF	MCC	Small Signal Bipolar Transistor,	获取价格
MMS9014H	LUNSURE	Transistor	获取价格
MMS9014-H	MCC	NPN Silicon Plastic-Encapsulate Transistor	获取价格
MMS9014-H-TP	MCC	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS CO	获取价格
MMS9014-H-TP-HF	MCC	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), NPN,	获取价格

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