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MMS9015-H-TP-HF

更新时间： 2024-01-03 01:21:59

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美微科 - MCC		/
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2页	218K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), PNP,

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MMS9015-H-TP-HF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.73
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	450	湿度敏感等级：	1
最高工作温度：	150 °C	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	0.2 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	标称过渡频率 (fT)：	150 MHz
Base Number Matches：	1

MMS9015-H-TP-HF 数据手册

M C C

Micro Commercial Components

MMS9015-L

MMS9015-H

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

20736 Marilla Street Chatsworth

ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ

ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ

$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ

Features

Halogen free available upon request by adding suffix "-HF"

•

SOT-23Plastic-Encapsulate Transistors

Capable of 0.2Watts(Tamb=25^OC) of Power Dissipation.

Collector-current 0.1A

Collector-base Voltage 50V

Operating and storage junction temperature range: -55^OC to +150^OC

Marking : M6

PNP Silicon

Plastic-Encapsulate

Transistor

•

Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates

RoHS Compliant. See ordering information)

Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating

Moisure Sensitivity Level 1

SOT-23

Electrical Characteristics @ 25 C Unless Otherwise Specified

Symbol

Parameter

Min

Max

Units

OFF CHARACTERISTICS

V_(BR)CBO

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

Collector-Base Breakdown Voltage

5.0

---

Vdc

(I =100uAdc, I_E=0)

Collector-Emitter Breakdown Voltage

(I =1.0mAdc, I_B=0)

Emitter-Base Breakdown Voltage

---

Vdc

(I =100uAdc, I_C=0)

Collector Cutoff Current

0.1

uAdc

CBO

(V_CB=50Vdc, I =0)

I_EBO

Emitter Cutoff Current

---

(V_EB=5.0Vdc, I =0)

DIMENSIONS

ON CHARACTERISTICS

h_FE(1)

INCHES

DIM

MIN

MAX

MIN

2.80

2.10

1.20

.89

MAX

NOTE

DC Current Gain

200

---

1000

0.3

---

.110

.083

.047

.035

.070

.018

.0005

.035

.003

.015

.120

.104

.055

.041

.081

.024

.0039

.044

.007

.020

3.04

2.64

1.40

1.03

2.05

.60

(I =1.0mAdc, V_CE=5.0Vdc)

V_CE(sat)

V_BE(sat)

Collector-Emitter Saturation Voltage

Vdc

(I =100mAdc, I_B=10mAdc)

1.78

.45

Base-Emitter Saturation Voltage

---

1.0

.013

.89

.100

1.12

.180

.51

(I =100mAdc, I_B=10mAdc)

.085

.37

SMALL-SIGNAL CHARACTERISTICS

f_T

Transistor Frequency

(I =10mAdc, V_CE=5.0Vdc, f=30MHz)

150

---

MHz

Suggested Solder

Pad Layout

CLASSIFICATION OF hFE

.031

.800

Rank

Range

200~450

450~1000

.035

.900

.079

2.000

inches

.037

.950

.037

.950

www.mccsemi.com

1 of 2

Revision: B

2013/01/01

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与MMS9015-H-TP-HF相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
MMS9015L	LUNSURE	Transistor	获取价格
MMS9015-L	MCC	PNP Silicon Plastic-Encapsulate Transistor	获取价格
MMS9015-L-TP	MCC	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ROHS CO	获取价格
MMS9015-L-TP-HF	MCC	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), PNP,	获取价格
MMS9015-TP-HF	MCC	Small Signal Bipolar Transistor,	获取价格
MMS9018	MCC	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Silicon, NPN, PLASTIC PACKAGE-3	获取价格

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