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MMDP-65698V-40

更新时间: 2024-01-29 07:08:23
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其他 - ETC 内存集成电路静态存储器
页数 文件大小 规格书
9页 397K
描述
x4 SRAM

MMDP-65698V-40 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Transferred
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.87
Is Samacsys:N最长访问时间:40 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-XDFP-F28
JESD-609代码:e0内存密度:262144 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:4
端子数量:28字数:65536 words
字数代码:64000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-55 °C
组织:64KX4输出特性:3-STATE
封装主体材料:CERAMIC封装代码:DFP
封装等效代码:FL28,.4封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLATPACK并行/串行:PARALLEL
电源:5 V认证状态:Not Qualified
最大待机电流:0.00008 A最小待机电流:2 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.07 mA
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:MILITARY
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:FLAT
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

MMDP-65698V-40 数据手册

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