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MMBZ5266B/E8

更新时间: 2024-11-24 14:43:39
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威世 - VISHAY 测试光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 113K
描述
Zener Diode, 68V V(Z), 5%, 0.225W, Silicon, Unidirectional, TO-236AB

MMBZ5266B/E8 技术参数

是否无铅:不含铅是否Rohs认证:不符合
生命周期:Transferred包装说明:R-PDSO-G3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.15
Is Samacsys:N配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:ZENER DIODE
最大动态阻抗:230 ΩJEDEC-95代码:TO-236AB
JESD-30 代码:R-PDSO-G3JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:0.225 W
认证状态:Not Qualified标称参考电压:68 V
子类别:Voltage Reference Diodes表面贴装:YES
技术:ZENER端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
最大电压容差:5%工作测试电流:1.8 mA
Base Number Matches:1

MMBZ5266B/E8 数据手册

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