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MMBZ5250BW

更新时间： 2024-10-28 23:02:47

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强茂 - PANJIT		稳压二极管测试
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5页	82K
描述
SURFACE MOUNT SILICON ZENER DIODES

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MMBZ5250BW 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.50
风险等级：	5.21	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	ZENER DIODE
最大动态阻抗：	25 Ω	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性：	UNIDIRECTIONAL	最大功率耗散：	0.2 W
认证状态：	Not Qualified	标称参考电压：	20 V
子类别：	Voltage Reference Diodes	表面贴装：	YES
技术：	ZENER	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
最大电压容差：	5%	工作测试电流：	6.2 mA
Base Number Matches：	1

MMBZ5250BW 数据手册

MMBZ5221BW thru MMBZ5259BW

SURFACE MOUNT SILICON ZENER DIODES

PACKAGE

SOT-323

POWER

200 mWatts

2.4 - 39 Volts

VOLTAGE

FEATURES

• Planar Die construction

• 200mW Power Dissipation

• Zener Voltages from 2.4V - 39V

• Ideally Suited for Automated Assembly Processes

MECHANICAL DATA

Case: SOT-323, Plastic

Terminals: Solderable per MIL-STD-202, Method 208

Approx. Weight: 0.008 gram

SINGLE

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Parameter

Power Dissipation (Notes A) at 25^OC

Symbol

Value

200

Units

Peak Forward Surge Current, 8.3ms single half

sine-wave superimposed on rated load (JEDEC method) (Notes B)

2.0

Amps

^OC

FSM

Operating Junction and StorageTemperature Range

-55 to +150

NOTES:

A. Mounted on 5.0mm2(.013mm thick) land areas.

B. Measured on 8.3ms, single half sine-wave or equivalent square wave, duty cycle = 4 pulses per minute maximum.

Part Number: MMBZ5221BW thru MMBZ5259BW

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