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MMBZ5243BLT3

更新时间: 2024-11-12 20:21:47
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 测试二极管
页数 文件大小 规格书
20页 258K
描述
13V, 0.225W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, TO-236AB, PLASTIC, CASE 318-07, 3 PIN

MMBZ5243BLT3 技术参数

生命周期:Transferred零件包装代码:SOT-23
包装说明:R-PDSO-G3针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.31
Is Samacsys:N配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:ZENER DIODE
JEDEC-95代码:TO-236ABJESD-30 代码:R-PDSO-G3
膝阻抗最大值:600 Ω元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-55 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:0.225 W
认证状态:Not Qualified标称参考电压:13 V
最大反向电流:0.5 µA表面贴装:YES
技术:ZENER端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL最大电压容差:5%
工作测试电流:9.5 mABase Number Matches:1

MMBZ5243BLT3 数据手册

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MOTOROLA  
SEMICONDUCTOR  
TECHNICAL DATA  
GENERAL  
DATA  
225 mW SOT-23  
Zener Voltage Regulator Diodes  
GENERAL DATA APPLICABLE TO ALL SERIES IN  
THIS GROUP  
225 mW  
SOT-23  
Zener Voltage  
Regulator Diodes  
3
1
Cathode  
Anode  
Manufacturing Locations:  
WAFER FAB: Phoenix, Arizona  
ASSEMBLY: Seremban, Malaysia  
TEST: Seremban, Malaysia  
MAXIMUM CASE TEMPERATURE FOR SOLDERING  
PURPOSES: 260°C for 10 seconds  
3
1
2
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
CASE 318-07, STYLE 8  
SOT-23 (TO-236AB)  
PLASTIC  
Total Device Dissipation FR-5 Board,*  
P
D
225  
mW  
T
= 25°C  
A
Derate above 25°C  
1.8  
556  
300  
mW/°C  
°C/W  
mW  
Thermal Resistance Junction to Ambient  
Total Device Dissipation  
R
θJA  
P
D
Alumina Substrate,** T = 25°C  
A
Derate above 25°C  
2.4  
417  
150  
mW/°C  
°C/W  
°C  
Thermal Resistance Junction to Ambient  
Junction and Storage Temeprature  
R
θJA  
T , T  
J stg  
**FR-5 = 1.0 x 0.75 x 0.62 in.  
**Alumina = 0.4 x 0.3 x 0.024 in. 99.5% alumina.  
Motorola TVS/Zener Device Data  
225 mW SOT-23 Data Sheet  
7-139  

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