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MMBZ5224BLT1

更新时间: 2024-01-25 05:33:08
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乐山 - LRC 半导体二极管测试
页数 文件大小 规格书
5页 166K
描述
SEMICONDUCTOR

MMBZ5224BLT1 技术参数

生命周期:Transferred零件包装代码:SOT-23
包装说明:R-PDSO-G3针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.39
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:ZENER DIODEJEDEC-95代码:TO-236AB
JESD-30 代码:R-PDSO-G3JESD-609代码:e0
膝阻抗最大值:1400 Ω元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-55 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:0.225 W
认证状态:Not Qualified标称参考电压:2.8 V
最大反向电流:75 µA表面贴装:YES
技术:ZENER端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
最大电压容差:5%工作测试电流:20 mA
Base Number Matches:1

MMBZ5224BLT1 数据手册

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LESHAN RADIO COMPANY, LTD.  
GENERAL DATA — 225mW SOT 23  
TYPICALCHARACTERISICS  
1000  
1000  
T
A = 25°C  
0 V BIAS  
1 V BIAS  
100  
10  
1
100  
10  
+150°C  
BIAS AT  
50% OF VZ NOM  
0.1  
0.01  
+25°C  
–55°C  
0.001  
0.0001  
1
1
0.00001  
10  
100  
0
10  
20  
30  
40  
50  
60  
70  
80  
90  
V Z , NOMINAL ZENER VOLTAGE (V)  
Figure 6. Typical Leakage Current  
V Z , NOMINAL ZENER VOLTAGE (V)  
Figure 5. Typical Capacitance  
100  
10  
1
100  
10  
T
A = 25°C  
T
A = 25°C  
1
0.1  
0
0.1  
0.01  
10  
30  
50  
70  
90  
0
2
4
6
8
10  
12  
V Z , ZENER VOLTAGE (V)  
V Z , ZENER VOLTAGE (V)  
Figure 7. Zener Voltage versus Zener Current  
(V Z Up to 12 V)  
Figure 8. Zener Voltage versus Zener Current  
(12 V to 91 V)  
J1–4/5  

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