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MMBZ5225B

更新时间： 2024-02-05 02:42:11

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强茂 - PANJIT		稳压二极管测试
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5页	134K
描述
SURFACE MOUNT SILICON ZENER DIODES

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MMBZ5225B 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.50
风险等级：	5.3	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	ZENER DIODE
最大动态阻抗：	30 Ω	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性：	UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：	0.225 W	认证状态：	Not Qualified
标称参考电压：	3 V	子类别：	Voltage Reference Diodes
表面贴装：	YES	技术：	ZENER
端子面层：	Matte Tin (Sn) - annealed	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
最大电压容差：	5%	工作测试电流：	20 mA

MMBZ5225B 数据手册

MMBZ5221B thru MMBZ5259B

SURFACE MOUNT SILICON ZENER DIODES

PACKAGE

SOT-23

POWER

500 mWatts

2.4 - 39 Volts

VOLTAGE

FEATURES

• Planar Die construction

• 500mW Power Dissipation

• Zener Voltages from 2.4V - 39V

• Ideally Suited for Automated Assembly Processes

MECHANICAL DATA

Case: SOT-23, Plastic

Terminals: Solderable per MIL-STD-202, Method 208

Approx. Weight: 0.008 gram

SINGLE

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Parameter

Power Dissipation (Notes A) at 75^OC

Symbol

Value

500

Units

Peak Forward Surge Current, 8.3ms single half

4.0

Amps

^OC

FSM

sine-wave superimposed on rated load (JEDEC method) (Notes B)

Operating Junction and StorageTemperature Range

-55 to +150

NOTES:

A. Mounted on 5.0mm2(.013mm thick) land areas.

B. Measured on 8.3ms, single half sine-wave or equivalent square wave, duty cycle = 4 pulses per minute maximum.

Part Number: MMBZ5221B thru MMBZ5259B

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