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MMBZ5225B

更新时间： 2024-01-10 00:00:11

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强茂 - PANJIT		稳压二极管测试
页数	文件大小	规格书
5页	134K
描述
SURFACE MOUNT SILICON ZENER DIODES

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MMBZ5225B 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.50
风险等级：	5.3	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	ZENER DIODE
最大动态阻抗：	30 Ω	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性：	UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：	0.225 W	认证状态：	Not Qualified
标称参考电压：	3 V	子类别：	Voltage Reference Diodes
表面贴装：	YES	技术：	ZENER
端子面层：	Matte Tin (Sn) - annealed	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
最大电压容差：	5%	工作测试电流：	20 mA

MMBZ5225B 数据手册

RATING and CHARACTERISTIC CURVES

100

-1

-2

-3

100

NOMINAL ZENER VOLTAGE, Volts

TYPICAL REVERSE CURRENT

STEADY STATE POWER DERATING

1000

100

1000

100

=25^OC

IZ(AC)=0.1

IZ(DC)

F=1 kHZ

= 1 mA

5 mA

20 mA

150^OC

75^OC

5^OC

25^OC

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

1.0

1.1

1.2

NORMAL ZENER VOLTAGE, Volts

100

FORWARD VOLTAGE, Volts

TYPICAL FORWARD VOLTAGE

EFFECT OF ZENER VOLTAGE ON ZENER IMPEDANCE

1000

100

=25^oC

0 V BIAS

1 V BIAS

1.2

1.0

0.8

0.6

BIAS AT

50% OF V NOM

D V.S. TA

0.4

0.2

100

125

150

155

TEMPERATURE (^oC)

NOMINAL ZENER VOLTAGE, Volts

TYPICAL CAPACITANCE

STEADY STATE POWER DERATING

Part Number: MMBZ5221B thru MMBZ5259B

PAGE 3

1 234 5

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