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MMBZ5225B

更新时间: 2024-01-14 23:48:20
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页数 文件大小 规格书
3页 516K
描述
SILICON PLANAR ZENER DIODES

MMBZ5225B 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active包装说明:R-PDSO-G3
针数:3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.3配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:ZENER DIODE
最大动态阻抗:30 ΩJESD-30 代码:R-PDSO-G3
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:0.225 W认证状态:Not Qualified
标称参考电压:3 V子类别:Voltage Reference Diodes
表面贴装:YES技术:ZENER
端子面层:Matte Tin (Sn) - annealed端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:40
最大电压容差:5%工作测试电流:20 mA

MMBZ5225B 数据手册

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MMBZ5221B~MMBZ5261B  
SILICON PLANAR ZENER DIODES  
3
1
2
SOT-23 Plastic Package  
O
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C)  
Parameter  
Symbol  
PD  
Value  
350  
Unit  
mW  
Power Dissipation  
O
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Junction Temperature  
C/W  
RθJA  
Tj  
357  
150  
O
C
O
C
Storage Temperature Range  
Tstg  
- 55 to + 150  
1
JinYu  
semiconductor  
www.htsemi.com  
Date:2011/05  

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