是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | SOT-23 | 包装说明: | LEAD FREE, PLASTIC, CASE 318-08, 3 PIN |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.10.00.50 |
风险等级: | 5.39 | 最大击穿电压: | 21 V |
最小击穿电压: | 19 V | 击穿电压标称值: | 20 V |
最大钳位电压: | 28 V | 配置: | COMMON ANODE, 2 ELEMENTS |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE |
JEDEC-95代码: | TO-236 | JESD-30 代码: | R-PDSO-G3 |
JESD-609代码: | e3 | 湿度敏感等级: | 1 |
最大非重复峰值反向功率耗散: | 40 W | 元件数量: | 2 |
端子数量: | 3 | 最高工作温度: | 150 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 极性: | UNIDIRECTIONAL |
最大功率耗散: | 0.225 W | 认证状态: | Not Qualified |
最大重复峰值反向电压: | 17 V | 子类别: | Transient Suppressors |
表面贴装: | YES | 技术: | ZENER |
端子面层: | Tin (Sn) | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
MMBZ20VALT1G | ONSEMI |
完全替代 |
24 and 40 Watt Peak Power Zener Transient Voltage Suppressors | |
SZMMBZ20VALT3G | ONSEMI |
类似代替 |
Dual Common Anode Zener Diode Protection |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
MMBZ20VALY | ROHM |
获取价格 |
MMBZ20VALY是以高抗浪涌性为特点的瞬态抑制二极管,适合电子元器件的ESD保护。 | |
MMBZ20VALYFH | ROHM |
获取价格 |
MMBZ20VALYFH是以高抗浪涌性为特点的瞬态抑制二极管,适合电子元器件的ESD保护。 | |
MMBZ20VA-T | NEXPERIA |
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Low capacitance unidirectional double ESD protection diodeProduction | |
MMBZ20VAT-Q | NEXPERIA |
获取价格 |
Low capacitance unidirectional double ESD protection diodeProduction | |
MMBZ20VAWT1G | ONSEMI |
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齐纳保护,40 瓦峰值功率 | |
MMBZ20VCHE3 | MCC |
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Tape:3K/Reel,120K/Ctn; | |
MMBZ20VCL | NXP |
获取价格 |
Double ESD protection diodes for transient overvoltage suppression | |
MMBZ20VCL | NEXPERIA |
获取价格 |
Double ESD protection diode for transient overvoltage suppressionProduction | |
MMBZ20VCL,215 | NXP |
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MMBZxVCL; MMBZxVDL series - Double ESD protection diodes for transient overvoltage suppres | |
MMBZ20VCL,235 | NXP |
获取价格 |
TVS DIODE |