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MMBZ27VAL

更新时间： 2024-01-23 08:57:11
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 二极管电视
页数 文件大小 规格书
4页 73K
描述
24W AND 40W PEAK POWER DUAL SURFACE MOUNT TVS

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MMBZ27VAL 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：SOT-23
包装说明：R-PDSO-G3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.50风险等级：5.69
最大击穿电压：28.35 V最小击穿电压：25.65 V
配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODEJESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
最大非重复峰值反向功率耗散：225 W元件数量：2
端子数量：3最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性：BIDIRECTIONAL
最大功率耗散：40 W认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES技术：AVALANCHE
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
Base Number Matches：1

MMBZ27VAL 数据手册

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MMBZ5V6AL - MMBZ33VAL  
24W AND 40W PEAK POWER DUAL SURFACE MOUNT TVS  
Features  
·
·
Dual TVS in Common Anode Configuration  
24W/40W Peak Power Dissipation Rating  
@ 1.0ms (Unidirectional)  
225 mW Power Dissipation  
Ideally Suited for Automatic Insertion  
Low Leakage  
SOT-23  
A
Dim  
A
Min  
0.37  
1.20  
2.30  
0.89  
0.45  
1.78  
2.80  
0.013  
0.903  
0.45  
0.085  
0°  
Max  
0.51  
1.40  
2.50  
1.03  
0.60  
2.05  
3.00  
0.10  
1.10  
0.61  
0.180  
8°  
·
·
·
B
C
B
C
TOP VIEW  
D
G
E
D
Mechanical Data  
·
E
H
Case: SOT-23, Molded Plastic  
Case material - UL Flammability Rating  
Classification 94V-0  
Moisture sensitivity: Level 1 per J-STD-020A  
Terminals: Solderable per MIL-STD-202,  
Method 208  
Polarity: See Diagram  
Marking: Marking Code & Date Code,  
See Page 2  
Marking Code: See Table Below and Page 2  
Weight: 0.008 grams (Approx.)  
Ordering Information: See Page 2  
G
H
K
·
M
J
L
J
·
·
K
L
·
·
M
a
All Dimensions in mm  
·
·
·
@TA = 25°C unless otherwise specified  
Maximum Ratings  
Characteristic  
Symbol  
Pd  
Value  
225  
24  
Unit  
mW  
W
Power Dissipation (Note 1)  
Ppk  
Peak Power Dissipation (Note 2) MMBZ5V6AL - MMBZ10VAL  
Peak Power Dissipation (Note 2) MMBZ15VAL - MMBZ33VAL  
Thermal Resistance, Junction to Ambient Air (Note 1)  
Operating and Storage Temperature Range  
Ppk  
40  
W
RqJA  
Tj,TSTG  
556  
°C/W  
°C  
–65 to +150  
@TA = 25°C unless otherwise specified  
Electrical Characteristics  
24 Watt (VF = 0.9V max @ IF = 10mA)  
VC @ IPP (Note 2)  
Breakdown Voltage  
VBR (Note 3) (V)  
Typical  
Temperature  
Coefficient  
IR  
@
VRWM  
Type  
Number  
Marking  
Code  
VRWM  
@ IT  
VC  
IPP  
Volts  
mA  
Min  
Nom  
Max  
mA  
V
A
Tc (mV/°C)  
MMBZ5V6AL  
K9A  
3
5.0  
5.32  
5.6  
5.88  
20  
8.0  
3.0  
1.8  
24 Watt (VF = 1.1V max @ IF = 200mA)  
VC @ IPP (Note 2)  
Breakdown Voltage  
VBR (Note 3) (V)  
Typical  
Temperature  
Coefficient  
IR  
@
VRWM  
Type  
Number  
Marking  
Code  
VRWM  
@ IT  
VC  
IPP  
Volts  
4.5  
mA  
0.5  
0.3  
0.3  
Min  
6.46  
8.65  
9.50  
Nom  
6.8  
9.1  
10  
Max  
7.14  
9.56  
10.5  
mA  
1.0  
1.0  
1.0  
V
9.6  
14  
A
Tc (%/°C)  
+0.045  
MMBZ6V8AL  
MMBZ9V1AL  
MMBZ10VAL  
K9C  
K9D  
K9E  
2.5  
1.7  
1.7  
6.0  
+0.065  
6.5  
14.2  
+0.065  
Note:  
1. Device mounted on FR-5 PCB 1.0 x 0.75 x 0.062 inch pad layout as shown on Diodes Inc. suggested pad layout AP02001, which  
can be found on our website at http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf. 200mW per element must not be exceeded.  
2. Non-repetitive current pulse per Figure 2 and derate above TA = 25°C per Figure 1.  
3. Short duration pulse test used to minimize self-heating effect.  
DS30306 Rev. 5 - 2  
1 of 4  
MMBZ5V6AL - MMBZ33VAL  
www.diodes.com  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MMBZ27VAL,215 NXP

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 		MMBZxAL series - Low capacitance unidirectional double ESD protection diodes TO-236 3-Pin
MMBZ27VAL/DG NXP

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 		Double ESD protection diodes for transient overvoltage suppression
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MMBZ27VALT1 ONSEMI

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