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MMBT3904L99Z

更新时间： 2024-02-02 10:51:33

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	65K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SOT-23, 3 PIN

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MMBT3904L99Z 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SOT-23	包装说明：	SOT-23, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.03
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	0.2 A
集电极-发射极最大电压：	40 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	30	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	0.225 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	300 MHz	最大关闭时间（toff）：	250 ns
最大开启时间（吨）：	70 ns	Base Number Matches：	1

MMBT3904L99Z 数据手册

2N3904

MMBT3904

TO-92

SOT-23

Mark: 1A

PZT3904

SOT-223

NPN General Purpose Amplifier

This device is designed as a general purpose amplifier and switch.

The useful dynamic range extends to 100 mA as a switch and to

100 MHz as an amplifier. Sourced from Process 23.

Absolute Maximum Ratings*

TA = 25°C unless otherwise noted

Symbol

Parameter

Value

Units

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_C

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

6.0

Collector Current - Continuous

Operating and Storage Junction Temperature Range

200

-55 to +150

T_J, T_stg

*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.

NOTES:

1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.

2) These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.

1997 Fairchild Semiconductor Corporation

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