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MMBF4391LT3

更新时间: 2024-01-18 02:04:18
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 166K
描述
30V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-236AB, CASE 318-08, 3 PIN

MMBF4391LT3 技术参数

生命周期:Transferred包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.12配置:SINGLE
最小漏源击穿电压:30 V最大漏源导通电阻:30 Ω
FET 技术:JUNCTION最大反馈电容 (Crss):3.5 pF
JEDEC-95代码:TO-236ABJESD-30 代码:R-PDSO-G3
元件数量:1端子数量:3
工作模式:DEPLETION MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE极性/信道类型:N-CHANNEL
功耗环境最大值:0.225 W认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

MMBF4391LT3 数据手册

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ON Semiconductort  
MMBF4391LT1  
MMBF4392LT1  
MMBF4393LT1  
JFET Switching Transistors  
N–Channel  
3
1
MAXIMUM RATINGS  
2
Rating  
Drain–Source Voltage  
Symbol  
Value  
30  
Unit  
Vdc  
CASE 318–08, STYLE 10  
SOT–23 (TO–236AB)  
V
DS  
DG  
GS  
Drain–Gate Voltage  
V
V
30  
Vdc  
Gate–Source Voltage  
30  
Vdc  
2 SOURCE  
Forward Gate Current  
I
50  
mAdc  
G(f)  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
3
Symbol  
Max  
Unit  
GATE  
(1)  
Total Device Dissipation FR–5 Board  
P
D
225  
mW  
T = 25°C  
A
Derate above 25°C  
1.8  
556  
mW/°C  
°C/W  
°C  
1 DRAIN  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Junction and Storage Temperature  
DEVICE MARKING  
R
q
JA  
T , T  
–55 to +150  
J
stg  
MMBF4391LT1 = 6J; MMBF4392LT1 = 6K; MMBF4393LT1 = 6G  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Characteristic  
OFF CHARACTERISTICS  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
Gate–Source Breakdown Voltage  
V
30  
Vdc  
(BR)GSS  
(I = 1.0 µAdc, V = 0)  
G
DS  
Gate Reverse Current  
(V = 15 Vdc, V = 0, T = 25°C)  
I
GSS  
1.0  
0.20  
nAdc  
µAdc  
GS  
DS  
A
(V = 15 Vdc, V = 0, T = 100°C)  
GS  
DS  
A
Gate–Source Cutoff Voltage  
(V = 15 Vdc, I = 10 nAdc)  
V
GS(off)  
Vdc  
MMBF4391LT1  
MMBF4392LT1  
MMBF4393LT1  
–4.0  
–2.0  
–0.5  
–10  
–5.0  
–3.0  
DS  
D
Off–State Drain Current  
(V = 15 Vdc, V = –12 Vdc)  
I
D(off)  
1.0  
1.0  
nAdc  
µAdc  
DS  
GS  
(V = 15 Vdc, V = –12 Vdc, T = 100°C)  
DS  
GS  
A
1. FR–5 = 1.0 0.75 0.062 in.  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2001  
509  
Publication Order Number:  
March, 2001 – Rev. 1  
MMBF4391LT1/D  

与MMBF4391LT3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MMBF4391-S00Z FAIRCHILD

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Transistor
MMBF4391S62Z TI

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N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-236AB
MMBF4392 FAIRCHILD

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MMBF4392 ONSEMI

获取价格

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MMBF4392-F40 FAIRCHILD

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