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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 零件包装代码： | TO-92 | 包装说明： | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.1 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.2 A | 集电极-发射极最大电压： | 400 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 40 |
| JEDEC-95代码： | TO-92 | JESD-30 代码： | O-PBCY-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.75 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 8 MHz | 最大关闭时间（toff）： | 1800 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MJE13001G-H-AB3-F-R | UTC |
获取价格 |
NPN SILICON POWER TRANSISTOR |
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| MJE13001G-I-T92-B | UTC |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, |
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| MJE13001G-I-T92-K | UTC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, |
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| MJE13001G-J-T92-K | UTC |
获取价格 |
NPN SILICON POWER TRANSISTOR |
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| MJE13001G-K-T92-A-B | UTC |
获取价格 |
NPN SILICON POWER TRANSISTOR |
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| MJE13001G-L-T92-A-K | UTC |
获取价格 |
NPN SILICON POWER TRANSISTOR |
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| MJE13001G-L-T92-B | UTC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, |
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| MJE13001G-L-T92-K | UTC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, |
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| MJE13001G-Q-X-AB3-A-R | UTC |
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NPN SILICON POWER TRANSISTOR |
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| MJE13001G-Q-X-AB3-F-R | UTC |
获取价格 |
NPN SILICON POWER TRANSISTOR |
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