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MGF0915A-03

更新时间： 2024-01-23 02:11:01

品牌	Logo	应用领域
三菱 - MITSUBISHI		放大器晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	108K
描述
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction FET, HERMETIC SEALED, SMD, 3 PIN

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MGF0915A-03 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	CHIP CARRIER, R-CQCC-N3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.75
风险等级：	5.82	外壳连接：	SOURCE
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	10 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	3 A	最大漏极电流 (ID)：	0.8 A
FET 技术：	JUNCTION	最高频带：	S BAND
JESD-30 代码：	R-CQCC-N3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	DEPLETION MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	CHIP CARRIER
极性/信道类型：	N-CHANNEL	功耗环境最大值：	18.7 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	QUAD	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	GALLIUM ARSENIDE	Base Number Matches：	1

MGF0915A-03 数据手册

< High-power GaAs FET (small signal gain stage) >

MGF0915A

L & S BAND / 4.5W

SMD non - matched

DESCRIPTION

The MGF0915A GaAs FET with an N-channel schottky

Gate, is designed for use UHF band amplifiers.

FEATURES

 High output power

Po=36.5dBm(TYP.) @f=1.9GHz,Pin=23dBm

 High power gain

Gp=14.5dB(TYP.) @f=1.9GHz

 High power added efficiency

add=50%(TYP.) @f=1.9GHz,Pin=23dBm

 Hermetic Package

APPLICATION

 For UHF Band power amplifiers

QUALITY

 GG

Fig.1

RECOMMENDED BIAS CONDITIONS

 Vds=10V  Ids=800mA  Rg=100

Delivery

-01:Tape & Reel(1K), -03:Trai(50pcs)

Absolute maximum ratings (Ta=25C)

Symbol

Parameter

Ratings

Unit

Gate to source

breakdown voltage

VGSO

-15

VGDO Gate to drain breakdown voltage

Drain current

3000

-10

IGR

IGF

Reverse gate current

Forward gate current

Total power dissipation

Cannel temperature

Storage temperature

18.7

Tch

Tstg

175

C

-65 to +175

Electrical characteristics

(Ta=25C)

Symbol

Parameter

Test conditions

Limits

Unit

Min.

Typ.

Max.

3000

Saturated drain current

VDS=3V,VGS=0V

2400

IDSS

Gate to source cut-off voltage

Transconductance

VDS=3V,ID=10mA

-1

-3

1000

36.5

-5

dBm

VGS(off)

VDS=3V,ID=800mA

VDS=10V,ID=800mA,f=1.9GHz

Pin=23dBm

35.0

Output power

add

GLP

Power added Efficiency

Linear Power Gain

VDS=10V,ID=800mA,f=1.9GHz

Vf Method

13.0

14.5

Rth(ch-c) Thermal Resistance *1

C/W

*1:_{Channel to case /}

Above parameters, ratings, limits are subject to change.

Publication Date : Apr., 2011

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