是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Active | 包装说明: | POST/STUD MOUNT, O-MUPM-D2 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.30.00.80 | 风险等级: | 5.16 |
配置: | SINGLE | 最大直流栅极触发电流: | 150 mA |
JESD-30 代码: | O-MUPM-D2 | JESD-609代码: | e0 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
最高工作温度: | 125 °C | 最低工作温度: | -65 °C |
封装主体材料: | METAL | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | POST/STUD MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
认证状态: | Not Qualified | 最大均方根通态电流: | 235 A |
重复峰值反向电压: | 600 V | 表面贴装: | NO |
端子面层: | TIN LEAD | 端子形式: | SOLDER LUG |
端子位置: | UPPER | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
触发设备类型: | SCR | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
15106GOAE3 | MICROSEMI |
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Silicon Controlled Rectifier, 235A I(T)RMS, 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Element, TO-209AB, | |
15106GOAILE3 | MICROSEMI |
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Silicon Controlled Rectifier, 235A I(T)RMS, 600V V(RRM), 1 Element, TO-209AB, TO-93, 3 PIN | |
15106GOB | MICROSEMI |
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Silicon Controlled Rectifier, 235.5A I(T)RMS, 600V V(RRM), 1 Element, TO-93 | |
15106GOD | MICROSEMI |
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Silicon Controlled Rectifier, 235A I(T)RMS, 600V V(RRM), 1 Element | |
15106GODE3 | MICROSEMI |
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Silicon Controlled Rectifier, 235A I(T)RMS, 600V V(RRM), 1 Element | |
15106GODIL | MICROSEMI |
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Silicon Controlled Rectifier, 235A I(T)RMS, 600V V(RRM), 1 Element | |
151-07 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 70V V(BR)CEO | 6A I(C) | TO-82 | |
1510722 | PHOENIX |
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Interconnection Device, ROHS COMPLIANT | |
1510748 | PHOENIX |
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CABLE 3POS | |
1510760013 | MOLEX |
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GUARDIAN II TPA PBT 3CKT |