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| 生命周期： | Active | 包装说明： | POST/STUD MOUNT, O-MUPM-H3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.30.00.80 | 风险等级： | 5.68 |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 最大直流栅极触发电流： | 150 mA | JEDEC-95代码： | TO-209AB |
| JESD-30 代码： | O-MUPM-H3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -65 °C | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | POST/STUD MOUNT |
| 最大均方根通态电流： | 235 A | 重复峰值反向电压： | 600 V |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | HIGH CURRENT CABLE |
| 端子位置： | UPPER | 触发设备类型： | SCR |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 15106GOB | MICROSEMI |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 235.5A I(T)RMS, 600V V(RRM), 1 Element, TO-93 |
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| 15106GOD | MICROSEMI |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 235A I(T)RMS, 600V V(RRM), 1 Element |
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| 15106GODE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 235A I(T)RMS, 600V V(RRM), 1 Element |
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| 15106GODIL | MICROSEMI |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 235A I(T)RMS, 600V V(RRM), 1 Element |
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| 151-07 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 70V V(BR)CEO | 6A I(C) | TO-82 |
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| 1510722 | PHOENIX |
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Interconnection Device, ROHS COMPLIANT |
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| 1510748 | PHOENIX |
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CABLE 3POS |
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| 1510760013 | MOLEX |
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GUARDIAN II TPA PBT 3CKT |
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| 1510760016 | MOLEX |
获取价格 |
GUARDIAN II TPA PBT 6CKT |
|
| 151-08 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 6A I(C) | TO-82 |
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