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MH8S64AQFC-6

更新时间： 2024-01-08 21:12:06

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三菱 - MITSUBISHI		动态存储器
页数	文件大小	规格书
55页	669K
描述
536,870,912-BIT (8,388,608 - WORD BY 64-BIT)SynchronousDRAM

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MH8S64AQFC-6 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DIMM
包装说明：	DIMM, DIMM144,32	针数：	144
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.28	风险等级：	5.84
访问模式：	SINGLE BANK PAGE BURST	最长访问时间：	5.4 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	最大时钟频率 (fCLK)：	133 MHz
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-XDMA-N144
内存密度：	536870912 bit	内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM MODULE
内存宽度：	64	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	144
字数：	8388608 words	字数代码：	8000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	8MX64
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装代码：	DIMM	封装等效代码：	DIMM144,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源：	3.3 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	4096	座面最大高度：	31.75 mm
自我刷新：	YES	最大待机电流：	0.004 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.64 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	NO LEAD	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

MH8S64AQFC-6 数据手册

MITSUBISHI LSIs

Preliminary Spec.

Some contents are subject to change without notice.

MH8S64AQFC -6,-6L,-7,-7L,-8,-8L

536,870,912-BIT (8,388,608 - WORD BY 64-BIT)SynchronousDRAM

DESCRIPTION

Utilizes industry standard 8M x 16 Sy nchronous DRAMs

The MH8S64AQFC is 8388608 - word by 64-bit

Synchronous DRAM module. This consists of four

industry standard 8Mx16 Synchronous DRAMs in

TSOP and one industory standard EEPROM in

TSSOP.

TSOP and industry standard EEPROM in TSSOP

144-pin (72-pin dual in-line package)

single 3.3V±0.3V power supply

The mounting of TSOP on a card edge Dual

Inline package provides any application where

high densities and large quantities of memory are

required.

Max. Clock frequency -6:133MHz,-7,8:100MHz

Fully synchronous operation referenced to clock rising

edge

This is a socket type - memory modules, suitable

for easy interchange or addition of modules.

4 bank operation controlled by BA0,1(Bank Address)

/CAS latency- 2/3(programmable)

Burst length- 1/2/4/8/Full Page(programmable)

Burst type- sequential / interleave(programmable)

Column access - random

FEATURES

CLK Access Time

Frequency

(Component SDRAM)

5.4ns(CL=3)

6.0ns(CL=2)

6.0ns(CL=3)

-6,-6L

-7,-7L

-8,-8L

133MHz

100MHz

Auto precharge / All bank precharge controlled by A10

Auto refresh and Self refresh

4096 refresh cycle /64ms

LVTTL Interface

APPLICATION

main memory or graphic memory in computer systems

PCB Outline

(Front)

(Back)

143

144

MIT-DS-0374-0.3

MITSUBISHI

ELECTRIC

22.Sep.2000

( 1 / 55 )

12 3 4 5 6 7...55

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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