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MH8S64DBKG-6

更新时间： 2024-09-29 22:27:43
品牌 Logo 应用领域
三菱 - MITSUBISHI 存储内存集成电路动态存储器时钟
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51页 586K
描述
536870912-BIT (8388608 - WORD BY 64-BIT)SynchronousDRAM

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MH8S64DBKG-6 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：DIMM
包装说明：DIMM, DIMM144,32针数：144
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.28风险等级：5.84
Is Samacsys：N访问模式：DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间：5.4 ns其他特性：AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)：133 MHzI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：R-XDMA-N144内存密度：536870912 bit
内存集成电路类型：SYNCHRONOUS DRAM MODULE内存宽度：64
功能数量：1端口数量：1
端子数量：144字数：8388608 words
字数代码：8000000工作模式：SYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：8MX64输出特性：3-STATE
封装主体材料：UNSPECIFIED封装代码：DIMM
封装等效代码：DIMM144,32封装形状：RECTANGULAR
封装形式：MICROELECTRONIC ASSEMBLY电源：3.3 V
认证状态：Not Qualified刷新周期：4096
座面最大高度：31.75 mm自我刷新：YES
最大待机电流：0.008 A子类别：DRAMs
最大压摆率：1.04 mA最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：3 V标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：NO技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子形式：NO LEAD
端子节距：0.8 mm端子位置：DUAL
Base Number Matches：1

MH8S64DBKG-6 数据手册

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Preliminary Spec.  
MITSUBISHI LSIs  
Some contents are subject to change without notice.  
MH8S64DBKG -6,-6L-7,-7L,-8,-8L  
536870912-BIT (8388608 - WORD BY 64-BIT)SynchronousDRAM  
DESCRIPTION  
Utilizes industry standard 4M x 16 Sy nchronous DRAMs  
TSOP and industry standard EEPROM in TSSOP  
The MH8S64DBKG is 8388608 - word by 64-bit  
Synchronous DRAM module. This consists of eight  
industry standard 4Mx16 Synchronous DRAMs in  
TSOP and one industory standard EEPROM in  
TSSOP.  
144-pin (72-pin dual in-line package)  
single 3.3V±0.3V power supply  
The mounting of TSOP on a card edge Dual  
Inline package provides any application where  
high densities and large quantities of memory are  
required.  
Max. Clock frequency -6:133MHz,-7,8:100MHz  
Fully synchronous operation referenced to clock rising  
edge  
This is a socket type - memory modules, suitable  
for easy interchange or addition of modules.  
4 bank operation controlled by BA0,1(Bank Address)  
/CAS latency- 2/3(programmable)  
Burst length- 1/2/4/8/Full Page(programmable)  
Burst type- sequential / interleave(programmable)  
Column access - random  
FEATURES  
CLK Access Time  
Frequency  
(Component SDRAM)  
5.4ns(CL=3)  
6.0ns(CL=2)  
6.0ns(CL=3)  
-6,-6L  
-7,-7L  
-8,-8L  
133MHz  
100MHz  
100MHz  
Auto precharge / All bank precharge controlled by A10  
Auto refresh and Self refresh  
4096 refresh cycle /64ms  
LVTTL Interface  
APPLICATION  
main memory or graphic memory in computer systems  
PCB Outline  
(Front)  
(Back)  
1
2
143  
144  
MITSUBISHI  
MIT-DS-0340-0.3  
27.Mar.2001  
ELECTRIC  
( 1 / 51 )  
1234567...51

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MH8S64DBKG-6L MITSUBISHI

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 		536870912-BIT (8388608 - WORD BY 64-BIT)SynchronousDRAM
MH8S64DBKG-7 MITSUBISHI

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