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MH8S64BBKD-10

更新时间： 2024-02-08 08:47:33

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三菱 - MITSUBISHI		动态存储器
页数	文件大小	规格书
55页	576K
描述
536870912-BIT (8388608 - WORD BY 64-BIT)SynchronousDRAM

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MH8S64BBKD-10 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DIMM
包装说明：	DIMM, DIMM144,32	针数：	144
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.28	风险等级：	5.84
访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST	最长访问时间：	8 ns
最大时钟频率 (fCLK)：	100 MHz	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-XDMA-N144	内存密度：	536870912 bit
内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM MODULE	内存宽度：	64
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	144	字数：	8388608 words
字数代码：	8000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	8MX64	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装代码：	DIMM
封装等效代码：	DIMM144,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	电源：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	4096
座面最大高度：	26.67 mm	最大待机电流：	0.008 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	1.2 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	NO LEAD	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	DUAL

MH8S64BBKD-10 数据手册

Preliminary Spec.

MITSUBISHI LSIs

Some contents are subject to change without notice.

MH8S64BBKD-10,-10L

536870912-BIT (8388608 - WORD BY 64-BIT)SynchronousDRAM

DESCRIPTION

Utilizes industry standard 8M x 8 Synchronous DRAMs

TSOP and industry standard EEPROM in TSSOP

The MH8S64BBKD is 8388608 - word by 64-bit

Synchronous DRAM module. This consists of eight

industry standard 8Mx8 Synchronous DRAMs in

TSOP and one industory standard EEPROM in

TSSOP.

The mounting of TSOP on a card edge Dual Inline

package provides any application where high

densities and large quantities of memory are

required.

144-pin (72-pin dual in-line package)

single 3.3V±0.3V power supply

Clock frequency 100MHz(max.)

Fully synchronous operation referenced to clock rising

edge

This is a socket type - memory modules, suitable for

easy interchange or addition of modules.

4 bank operation controlled by BA0,1(Bank Address)

/CAS latency- 2/3(programmable)

Burst length- 1/2/4/8/Full Page(programmable)

Burst type- sequential / interleave(programmable)

Column access - random

FEATURES

CLK Access Time

Frequency

(Component SDRAM)

100MHz

8.0ns(CL=3)

-10,-10L

Auto precharge / All bank precharge controlled by A10

Auto refresh and Self refresh

4096 refresh cycle /64ms

LVTTL Interface

APPLICATION

main memory or graphic memory in computer systems

PCB Outline

(Front)

(Back)

143

144

MITSUBISHI

ELECTRIC

MIT-DS-0244-0.4

15/Jan./1999

( 1 / 55 )

12 3 4 5 6 7...55

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MH8S64BBKD-10L	MITSUBISHI	获取价格	536870912-BIT (8388608 - WORD BY 64-BIT)SynchronousDRAM
MH8S64BBKD-8	MITSUBISHI	获取价格	Synchronous DRAM Module, 8MX64, 6ns, CMOS, DIMM-144
MH8S64BBKG-10	MITSUBISHI	获取价格	536870912-BIT (8388608 - WORD BY 64-BIT)SynchronousDRAM
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